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摘要:
AlGaN在紫外器件(紫外探测器、紫外LED等)以及高速功率器件(HEMT等)方面有着非常重要的应用.提出利用HRXRD倒易空间的测试分析方法来获得外延材料中的晶格应变及其缺陷状态,这对AlGaN材料的MOCVD外延生长具有重要的指导意义.
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文献信息
篇名 通过倒易空间扫描表征AlGaN外延材料
来源期刊 半导体光电 学科 工学
关键词 AlGaN HRXRD 倒易空间 MOCVD 紫外探测器
年,卷(期) 2011,(3) 所属期刊栏目 材料、结构及工艺
研究方向 页码范围 383-385
页数 分类号 TN304.23
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 赵红 11 53 4.0 7.0
2 赵文伯 20 159 5.0 12.0
3 周勋 21 79 5.0 8.0
4 杨晓波 11 33 3.0 5.0
5 廖秀英 3 19 2.0 3.0
传播情况
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引文网络
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二级参考文献  (0)
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节点文献
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1999(1)
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2011(0)
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研究主题发展历程
节点文献
AlGaN
HRXRD
倒易空间
MOCVD
紫外探测器
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体光电
双月刊
1001-5868
50-1092/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号44所内
1976
chi
出版文献量(篇)
4307
总下载数(次)
22
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