第2页_半导体光电2013年出版文献-钛学术文献服务平台

文献导航

检索期刊

出版文献量（篇）

4307

总下载数（次）

半导体光电

投稿

Semiconductor Optoelectronics

CA JST SA CSTPCD

影响因子 0.5046

本刊是专业技术性刊物。刊载半导体光电器件、光通信系统和光传输、光存贮、光计算、处理技术，以及摄像、传感、遥感等方面的研究成果、学术论文、学位论文和工作报告，介绍光学、光子学、量子电子学、光电子学领域的新材料、新结构、新工艺、新器件，报道国内外该领域的研究和发展方向。读者对象为半导体光电专业的科技人员和大专院校师生。

主办单位：

重庆光电技术研究所

期刊荣誉：

信息产业部优秀电子期刊 重庆市优秀期刊

ISSN：

1001-5868

CN：

50-1092/TN

出版周期：

双月刊

邮编：

400060

地址：

重庆市南坪花园路14号44所内

出版文献量（篇）

4307

总下载数（次）

文章浏览

热门刊内文献

年度刊次

31. 基于SOPC的非致冷红外热成像系统的研制

作者：代少升牛道伟

刊名：半导体光电

发表期刊： 2013年1期

页码: 126-129,133

摘要：针对传统基于DSP+FPGA/CPLD架构的红外热成像系统存在体积大、数据传输链路长、功耗大等缺点,提出一种基于片上可编程(SOPC)的非致冷红外热成像系统.利用SOPC定制NIOSⅡ软核处...
32. 压缩感知相移数字全息术

作者：任振波夏飞鹏苏萍马建设

刊名：半导体光电

发表期刊： 2013年1期

页码: 130-133

摘要：相移数字全息图用传统数字再现可以消除零级像与共轭像,但数字全息术记录的全息图及数字再现像的分辨率被CCD的分辨率所限制.将新兴的压缩感知算法用于数字全息图的稀疏重建,以实现由部分全息图数据得...
33. 高帧频大面阵CCD相机大容量存储与高清显示系统

作者：刘妍妍张宇李国宁金龙旭韩双丽

刊名：半导体光电

发表期刊： 2013年1期

页码: 134-136,140

摘要：为了解决高帧频大面阵CCD相机图像数据量较大、存储实时性较低、高清图像显示中灰度级损失等问题,设计了一种大容量存储与高清显示系统.首先,结合高帧频大面阵CCD相机的特点,详细介绍了大容量存储...
34. 基于色敏元件的光位移传感器高动态解调研究

作者：刘林包艳张兵张超李秉实王东辉郑普超

刊名：半导体光电

发表期刊： 2013年1期

页码: 137-140

摘要：介绍了波长编码型光学位移传感器的输出光的特点及目前利用光谱仪进行解调的制约因素,分析了色敏元件的工作原理及色敏元件对传感器输出窄带光进行解调的可行性,设计了色敏解调线路并对行程±60 mm的...
35. 一种基于Boost电路的光伏最大功率跟踪方法

作者：付周兴李忠靳海亮

刊名：半导体光电

发表期刊： 2013年1期

页码: 141-144

摘要：最大功率跟踪(MPPT)是太阳能光伏发电的重要组成部分,依靠最大功率跟踪可使光伏电池工作在最大功率点(MPP)附近,提高太阳能的利用率.在分析光伏电池的数学模型的基础上,选用Boost电路作...
36. 基于MZ调制器工作点控制的前端电路设计

作者：孙豹王晓丽陈福深

刊名：半导体光电

发表期刊： 2013年1期

页码: 145-147

摘要：设计了马赫-曾德尔(MZ)调制器工作点控制的前端电路.利用运放OP27设计文氏桥电路,产生1 kHz余弦波,作为扰动信号加到MZ调制器的RF端.运用运放OP27设计带通滤波器,从探测器分别提...
37. 红外凝视成像几何扭曲效应建模和仿真

作者：李珂王世立王学伟

刊名：半导体光电

发表期刊： 2013年1期

页码: 148-150

摘要：为了增加红外凝视焦平面阵列系统成像仿真的置信度,对系统中的成像几何扭曲效应进行了产生机理分析,从二维图像像素角度出发,在空域通过寻求各阵列元对应像素点的径向畸变量建立成像扭曲模型,并利用反演...
38. 一种适合数字相机实时处理的插值算法

作者：刘爽唐遵烈曾璞李明王颖陈伟马华平魏广路

刊名：半导体光电

发表期刊： 2013年1期

页码: 151-153,157

摘要：为保证图像还原质量的情况下实现数字相机实时处理的功能,提出了一种基于梯度的单通道独立插值算法.通过引入绿色分量的水平、垂直梯度及梯度差值的阈值不仅可以使图像的边界信息得到更好的保存,也可以使...
39. 利用斜方棱镜实现平行光管校准

作者：刘秉琦史云胜应家驹徐春梅

刊名：半导体光电

发表期刊： 2013年1期

页码: 154-157

摘要：平行光管是光学实验及计量检测的重要设备.平行光管处于离焦状态将给检测结果带来诸多不良影响.文章提出斜方棱镜校准法,利用斜方棱镜的光轴平移作用,将平行光管的两束边缘光分别入射到同一个CCD中,...
40. 基于AS3992的超高频RFID阅读器的设计及仿真

作者：陆遥陈勇

刊名：半导体光电

发表期刊： 2013年1期

页码: 158-161

摘要：针对现在市场流行的超高频RFID阅读系统制作方法复杂、稳定性差及接口通用性差等问题,提出一种基于射频阅读专用芯片AS3992的超高频RFID阅读器系统的设计方案,并对系统发射机模型和接收机模...
41. 《半导体光电》稿约

作者：

刊名：半导体光电

发表期刊： 2013年1期

页码: 162

摘要：
42. 基于量子点的白光二极管的研究进展

作者：刘鹏杨盛谊蒋玉蓉

刊名：半导体光电

发表期刊： 2013年2期

页码: 163-170

摘要：量子点又称为纳米晶,是一种由Ⅱ-Ⅵ族或Ⅲ-V族元素组成的纳米颗粒(粒径1～10nm),由于电子和空穴的量子限域效应,连续的能带结构变成分立的能级结构,受激后可以发射荧光.量子点的发光光谱可以...
43. 用于医学成像的碲锌镉单极型探测器研究进展

作者：任秋实卢闫晔张秋实杨昆谢肇恒

刊名：半导体光电

发表期刊： 2013年2期

页码: 171-179

摘要：碲锌镉(CdZnTe)半导体材料具有探测效率高、能量分辨率高和体积小重量轻的特点,是公认的最有希望成为下一代伽马射线探测装置的材料.然而,空穴俘获导致的电荷收集不完全限制了碲锌镉半导体探测器...
44. 蓝宝石上生长高质量InN单晶薄膜的研究发展

作者：李国强管云芳高芳亮

刊名：半导体光电

发表期刊： 2013年2期

页码: 180-185

摘要：通过介绍蓝宝石衬底上生长氮化铟(InN)单晶薄膜的发展历程,阐述了生长该单晶薄膜的几种方法及生长过程中存在的一些问题和改进措施,说明了生长高质量InN单晶薄膜的有效途径,为InN的生长及应用...
45. 垒层Si掺杂对多量子阱InGaN绿光LED性能的影响

作者：李国强林志霆郝锐马学进马昆旺

刊名：半导体光电

发表期刊： 2013年2期

页码: 186-189,263

摘要： InGaN系绿光LED的量子阱结构具有较高的In含量,InN与GaN之间较大的晶格失配度使得绿光器件的量子限制Stark效应更显著.对内建电场的屏蔽可以有效提高载流子的辐射复合效率.论文探讨...
46. 垂直腔面发射激光器DBR的优化设计

作者：吴波徐晨李鹏飞杨立鹏邓军陈永远

刊名：半导体光电

发表期刊： 2013年2期

页码: 190-192

摘要：模拟分析了垂直腔面发射激光器分布布拉格反射镜铝组分不同分布对价带的影响,并对两种不同结构的器件进行了测试,测试结果表明抛物线渐变结构可以有效降低价带的势垒,进而可以改善垂直腔面发射激光器的电...
47. 一维位置敏感探测器的相位响应特性

作者：席锋

刊名：半导体光电

发表期刊： 2013年2期

页码: 193-196

摘要：基于位置敏感探测器(PSD)的相位法探测入射光点的原理,利用RC等效模型得到一维PSD两电极输出电流信号的相位和相位差.分析了相位与调制频率和入射光点位置x的关系,并得出相位差在不同调制频率...
48. 碳纳米管光电器件光学特性的电磁模型研究

作者：向毅张小云柏俊杰江永清

刊名：半导体光电

发表期刊： 2013年2期

页码: 197-199,203

摘要：针对基于碳纳米管阵列构成的光电器件,建立基于场效应器件结构的电磁散射模型,对其光电吸收特性进行了仿真分析.模型仿真结果表明,当碳纳米管阵列间距为入射光波长的整数倍时,碳纳米管的吸收功率达到峰...
49. 基于Cs2CO3/Al结构的蓝光OLED器件

作者：张宵张方辉张静

刊名：半导体光电

发表期刊： 2013年2期

页码: 200-203

摘要：研究了碳酸铯(Cs2CO3)作为电子注入层对蓝光有机电致发光器件性能的影响.结果表明,与常用的LiF/A1结构相比,Cs2CO3/A1结构的电子注入能力更强.对Cs2CO3电子注入层的厚度进...
50. 基于偏振控制的Sagnac环负系数微波光子滤波器

作者：刘莹李淼梁晓东王旭

刊名：半导体光电

发表期刊： 2013年2期

页码: 204-207,240

摘要：为了克服正抽头系数低通滤波的限制,满足光载无线通信(ROF)、无线通信等系统对带通滤波器的需要,提出了一种新的负系数带通微波光子滤波器结构.系统采用了一种偏振敏感的电吸收调制器,其横向电场(...
51. 改进的稀疏近似逆预条件算法求解电磁场边值问题

作者：孙向阳张向前李月卉聂在平

刊名：半导体光电

发表期刊： 2013年2期

页码: 208-211

摘要：提出了一种MAINV稀疏近似逆预条件算法,用于改善电磁场边值问题的有限元分析所产生的的线性系统的迭代求解.该预条件子是在基本AINV算法基础上,在分解过程中对可能导致算法崩溃的极小主元进行实...
52. GaN基TFT-LED有源阵列显示芯片的设计研究

作者：吴震李绪诚李良荣杨利忠邓朝勇

刊名：半导体光电

发表期刊： 2013年2期

页码: 212-214

摘要：对GaN基TFT-LED有源阵列显示芯片结构进行了优化设计,并详细介绍了它的工作原理.文中采用Cadence公司的Virtuoso Spectre Circuit Simulator软件,通...
53. 多酚控制二水草酸锌形貌及三维氧化锌纳米结构性能研究

作者：冯欢欢姜龙孙丛立廖威徐晶晶罗建勇陈军泽陈寰陈瑜

刊名：半导体光电

发表期刊： 2013年2期

页码: 215-220,225

摘要：以氯化锌、草酸钠和多酚为原料,通过沉淀反应及调节多酚浓度制得形貌可控的二水草酸锌晶体,再通过热分解得到三维自组装纳米氧化锌结构.分别用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、热重-差...
54. 大应变InGaAs/GaAs/AlGaAs微带超晶格中波红外QwIP的MOCVD生长

作者：刘万清周勇周勋孙迎波杨晓波

刊名：半导体光电

发表期刊： 2013年2期

页码: 221-225

摘要：基于中波红外(峰值响应波长4.5 μm)量子阱红外探测器QWIP进行了大应变In0.34 Ga0.66 As/ GaAs/Al0.35Ga0.65 As微带超晶格结构的MOCVD外延生长研究...
55. 粘结层空洞对功率器件封装热阻的影响

作者：吴昊李明陈铭高立明

刊名：半导体光电

发表期刊： 2013年2期

页码: 226-230

摘要：功率器件的热阻是预测器件结温和可靠性的重要热参数,其中芯片粘接工艺过程引起的粘结层空洞对于器件热性能有很大的影响.采用有限元软件Ansys Workbench对TO3P封装形式的功率器件进行...
56. 共振线附近极化介质的电磁辐射

作者：李秀平王善进罗诗裕陈琼

刊名：半导体光电

发表期刊： 2013年2期

页码: 231-234

摘要：在经典力学框架内,把偶板子运动方程化为含有二次项和三次项的非线性微分方程;用多尺度法找到了系统的近似解;讨论了共振线附近极化介质的光电性质.揭示了系统的倍频、分频、和频与差频等效应;导出了介...
57. 一维光子晶体中光场局域态特性的研究

作者：刘晓静吴向尧吴坤朋巴诺张斯淇李宏王婧郭义庆

刊名：半导体光电

发表期刊： 2013年2期

页码: 235-240

摘要：给出了任意入射角的一维光子晶体透射率及场强分布解析式,分别研究了缺陷层的吸收系数对光子晶体透射率、场强分布的影响,同时研究了不同的入射角、缺陷层折射率、光子晶体周期数及光子晶体结构形式对场强...
58. 浅结密栅线硅太阳电池工艺研究

作者：安海娇崔景光张东升闫英丽陈明敬马继奎

刊名：半导体光电

发表期刊： 2013年2期

页码: 241-243,246

摘要：通过提高发射区方块电阻,配合密栅线丝网印刷工艺,制备了性能优良的多晶硅太阳电池.对比两种不同扩散工艺的方块电阻和ECV浓度,分析发射区方块电阻对太阳电池电性能参数的影响.结果表明:方阻为80...
59. LPCVD多晶硅形貌对氧化层击穿特性的影响

作者：向华兵廖乃镘李仁豪罗春林阙蔺兰龙飞

刊名：半导体光电

发表期刊： 2013年2期

页码: 244-246

摘要：多晶硅表面对于电荷耦合器件(CCD)的制作非常重要.采用扫描电子显微镜(SEM)和电学分析技术研究了低压化学气相(LPCVD)法淀积的多晶硅形貌对击穿特性的影响.研究结果表明,减小多晶硅表面...
60. HgI2多晶薄膜的气相同质外延生长

作者：许岗谷智魏淑敏

刊名：半导体光电

发表期刊： 2013年2期

页码: 247-250,254

摘要：为提高HgI2多晶薄膜的气相定向生长效果,在ITO导电玻璃上从不同浓度的C3H6O-HgI2-H2O溶液中过饱和析出HgI2衬底层.通过XRD对比衬底层的定向效果,选择最佳的衬底并气相外延沉...

半导体光电基本信息

刊名	半导体光电	主编	江永清
曾用名
主办单位	重庆光电技术研究所	主管单位	中国电子科技集团公司
出版周期	双月刊	语种	chi
ISSN	1001-5868	CN	50-1092/TN
邮编	400060	电子邮箱	soe@163.net
电话	023-62806174	网址	www.semiopto.net
地址	重庆市南坪花园路14号44所内