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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2008年12期页码:摘要：
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2. 超结器件刊名： 电力电子技术发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 简要地介绍了突破传统"硅极限"的超结器件发明的背景,以及产生的来由.描述了既用作漂移区又用作耐压区的各种超结结构的导通电阻与击穿电压的关系,及超结MOST瞬态特性中导通过程的器件物理.最后简...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 研究了采用高边电流检测方案的大功率LED恒流驱动芯片.基于25 V,1.5 μm BCD工艺,运用Cadence的SpectreS工具对电路进行了仿真.结果表明,LED驱动电流为滞环变化的三...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 提出了一种新型MOS控制晶闸管,即组合式绝缘栅双极晶体管(CIGBT),它通过在公共的n阱和P阱内部串联MOSFET的阴极单元而形成.而n阱和P阱可产生一个特有的自箝位特征,可保证阴极免受任...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 针对静电放电(Electro-static Discharge.简称ESD)对芯片造成损伤的现象,研究了静电放电发生的过程及产生的原因.首先阐述了几种常见的模拟静电放电过程的模型,然后利用彩...
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6. 专用高速高压驱动器设计刊名： 电力电子技术发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 以标准3-μm双阱CMOS工艺为基础,开发了高低压体硅CMOS工艺,解决了低压CMOS和高压LDMOS工艺兼容性问题.基于RESURF原理,设计了八边形结构的高压LDMOS:完成了低压控制电...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 设计了一种电焊机及电化学专用的新型整流二极管,即3.5 kA/400V高电流密度整流二极管(焊接二极管).该二极管具有低电压、大电流、低热阻、高结温的特点.给出了研制生产该产品的主要工艺途径...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)在现代电力电子装置中得到了日益广泛的应用,尤其是第4代Trenchstop型IGBT的出现更具有革命性的意义.介绍了IGBT芯片技术的发展,着重分析了新一代Tr...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 经过对各种高压电力半导体器件实用模型的分析,设计了长、短基区最薄,P区径向变掺杂的一种双负角6英寸晶闸管,该晶闸管具有在获取一定高电压的同时能获取最大通态电流、最佳协调各动静态参数的唯一性....
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 考虑到寿命不等时的双注入效应、载流子寿命,特别是少子空穴寿命的变化、电导调制效应、双注入空间电荷限制效应等因素,对静电感应晶闸管(Static Induction Thyristor,简称S...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 叙述了汽车用整流二极管的芯片类型、焊接形式及失效模式,给出了热敏电压等效测试瞬态热阻抗的原理;将热敏电压应用在汽车用整流二极管的质量控制中,取得了实际成效.
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12. 电源管理半导体刊名： 电力电子技术发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 电源管理半导体是一种新型的电力电子器件,它将功率集成电路进一步延伸,将一些外围电路及控制(可编程)融为一体.为各类电器尤其是便携式电器的电源提供广泛而方便的选择.电源管理半导体具有高集成化、...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 介绍了金属全密封大电流三相整流模块的设计和制作工艺.它主要采用真空烧结、超声压焊工艺,封装采用平行缝焊.该模块具有使用方便、可靠性高和温度范围宽(-55～+125 ℃)等特点,并能满足工程需...
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14. 高压SOI器件介质场增强刊名： 电力电子技术发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 提高纵向耐压是研究绝缘体上的硅(Silicon-on-insnlator,简称SOI)高压器件之瓶颈,经过多年研究,总结出了SOI高压器件介质场增强(Enhanced Dielectric ...
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15. 镀厚膜工艺技术研究刊名： 电力电子技术发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 通过分析现有镀膜工艺设备的电子束加热原理、结构和热量损耗,并针对实际应用过程中镀膜存在的问题,提出了对现有设备的改进措施,开发出一种新的镀厚膜工艺,较好解决了芯片镀厚膜的工艺技术难题和存在的...
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16. 低应力厚膜SOI晶片研究刊名： 电力电子技术发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 利用离子注入、湿氧氧化、低温键合、背面减薄等工艺成功制备了低应力厚膜SOI晶片,并介绍了厚膜SOI晶片的厚度、界面和应力.该晶片的各层区域分明,界面平整,上层硅厚度为76.5 μm,SiO2...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 深入研究了掺碳SiGe(SiGeC)功率二极管的反向阻断特性,给出了详细的机理分析.与同结构SiGe二极管相比,SiGeC二极管的热稳定性显著提高,反向漏电流明显减小,击穿电压也有所增加,且...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 简述了非对称门极换流晶闸管(A-GCT)的结构特点及其工作原理,分析了A-GCT结构参数之间的相互制约关系,给出了高压A-GCT的设计参考.并借助ISE软件对A-GCT的阻断特性、导通特性和...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 简述了功率MOSFET的结构特点及工作原理,从理论上分析了温度对阈值电压、跨导、导通电阻、漏极饱和电流及击穿电压等关键参数的影响.采用ISE软件模拟了不同温度下器件的导通特性和阻断特性,给出...
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20. 门极换流晶闸管关键技术的研究刊名： 电力电子技术发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 通过对门极换流晶闸管(GCT)关键技术的研究,提出了一种沟槽隔离的逆导型GCT结构.借助MEDICI软件,模拟了GCT的各项特性及其在内部的微观现象,对透明阳极、缓冲层、隔离区等关键结构参数...
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21. 高压晶闸管表面造型技术的改进刊名： 电力电子技术发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 论述了采用喷砂造型大正斜角的发展过程及理论依据,分析了有效负斜角公式应用在高压晶闸管制造中的发展过程及其正确应用,研究改进了高压晶闸管的表面造型技术,运用喷砂造型大正斜角及类台面结构等成功研...
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22. SiC功率器件的研究和展望刊名： 电力电子技术发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 分析了碳化硅(SiC)功率器件的研究现状与发展趋势,给出了在SiC功率整流二极管、SiC功率晶体管以及关键工艺中取得的最新研究成果.研制出了具有较好整流特性的SiC肖特基势垒二极管,并对其输...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2008年12期页码:摘要： GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)是GaN微波功率器件的主要形式,是第3代半导体技术领域发展和竞争的焦点.针对GaN HEMT的目标特性和电流崩塌现象,从材料结构设计和器件设计两方面概括了...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 为适应重复频率脉冲工况,提出了一种引入缓冲层的反向开关晶体管(Reversely Switched Dynistor,简称RSD)新结构.该结构可协调器件的通态、断态和开关特性.研究了低重复...
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25. 峰值电流模式斜坡补偿电路研究刊名： 电力电子技术发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 针对峰值电流控制模式变换器的不稳定性问题,分析了斜坡补偿的基本原理和峰值电流控制电路的稳定性原理.主要介绍了由射极跟随器构成的斜坡补偿电路及其参数设计,用以实现在大范围调整占空比时变换器电路...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2008年12期页码:摘要： PWM整流器控制中采用类似于交流电机磁链观测的方法构造了一个以虚拟电网磁链作为定向矢量的无电网电压传感器,对谐波和干扰有良好的抑制作用.传统的虚拟电网磁链采用低通滤波器代替纯积分器以克服直流...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 针对无刷直流电动机的低速脉动性能进行了数学建模和分析研究,找出传统控制结构在低速时存在转矩脉动较大和电流断续的原因.同时以电动机专用控制芯片TMS320F2812为控制核心,设计了一种新型电...
电力电子技术基本信息
| 刊名 | 电力电子技术 | 主编 | 吕庆敏 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 西安电力电子技术研究所 | 主管单位 | 西安电力电子技术研究所 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1000-100X | CN | 61-1124/TM |
| 邮编 | 710061 | 电子邮箱 | dldzjstg@163.com |
| 电话 | 029-85271823 | 网址 | www.dldzjs.com |
| 地址 | 西安朱雀大街94号 |
电力电子技术评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 中国科学引文数据库 |
| 2. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 3. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 获中国科技核心期刊 |
| 2. | 获中文核心期刊 |
| 3. | 获学位与研究生教育中文重要期刊 |
电力电子技术统计分析
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