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摘要:
提出了一种新型MOS控制晶闸管,即组合式绝缘栅双极晶体管(CIGBT),它通过在公共的n阱和P阱内部串联MOSFET的阴极单元而形成.而n阱和P阱可产生一个特有的自箝位特征,可保证阴极免受任何过电压的冲击,进一步改善了其安全工作范围.仿真实验结果证明,CIGBT可大大改善IGBT的通态特性和开关性能.
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内容分析
关键词云
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文献信息
篇名 组合式绝缘栅双极晶体管的工作原理与特性
来源期刊 电力电子技术 学科 工学
关键词 晶体管 晶闸管/绝缘栅双极晶体管
年,卷(期) 2008,(12) 所属期刊栏目 电力电子器件研发进展专辑
研究方向 页码范围 10-11,28
页数 3页 分类号 TN32
字数 1685字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-100X.2008.12.004
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李双美 26 51 4.0 5.0
2 尹常永 27 84 4.0 7.0
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2019(1)
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研究主题发展历程
节点文献
晶体管
晶闸管/绝缘栅双极晶体管
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电力电子技术
月刊
1000-100X
61-1124/TM
大16开
西安朱雀大街94号
52-44
1967
chi
出版文献量(篇)
7330
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19
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