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高技术通讯
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《高技术通讯》创刊于1991年，是由国家科技部高技术研究发展计划（863计划）联合办公室创办、中国科学技术信息研究所主办的综合性学术刊物，是国内高技术领域的高层次学术刊物之一。
内容涉及计算机、现代通讯、机器人、先进制造与自动化技术、新材料、能源、生物、海洋及其他高技术领域。本刊注重研究的新思路、新理论、新方法和新技术的择文标准，使其具有学术性、前沿性、可读性和资料性。其宗旨是为我国研究人...
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主办单位：
中国科学技术信息研究所
期刊荣誉：
《中国科学引文数据》刊源
《中国科技论文统计与分析》刊源
ISSN：
1002-0470
CN：
11-2770/N
出版周期：
月刊
邮编：
100045
地址：
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刊名： 高技术通讯发表期刊： 1998年7期页码:摘要： 分析了在敏捷制造环境下制造系统对设备定义的需求,指出现有的设备定义方法主要侧重于设备静态结构特性的表达,不能很好地描述设备在制造系统中的功能及其行为,提出了一种面向对象的设备定义方法.这种方...
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刊名： 高技术通讯发表期刊： 1998年7期页码:摘要： 介绍了一个基于多智能体概念实现的多机器人协作装配系统--MRCAS(Multi-Robot Cooperative Assmbly System).该系统由组织级计算机、三台工业机器人和一台...
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刊名： 高技术通讯发表期刊： 1998年7期页码:摘要： 运用回归分析技术和模糊分类技术,分别建立了两钟镗削刀具磨损模型.第一种是基于电流信号的刀具磨损模型,第二种是直接基于刀具磨损量的模型,这两种模型均滤除了切削条件的影响.对于第一种模型,可利用...
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刊名： 高技术通讯发表期刊： 1998年7期页码:摘要： 在国内首次进行了孤子通信的误码测量,成功地将2.5Gb/s的孤子传输了52km,经过2小时测量无误码.对实验中的现象进行了理论分析.
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刊名： 高技术通讯发表期刊： 1998年7期页码:摘要：
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刊名： 高技术通讯发表期刊： 1998年7期页码:摘要： 提出了降维算法,它能有效地处理带参数的根式,将维数控制在最小限度.据此编成的通用程序已在PC机上验证了400多个具有相当难度的代数和几何的不等式,对Bottema的<几何不等式>一书中120...
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刊名： 高技术通讯发表期刊： 1998年7期页码:摘要：
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刊名： 高技术通讯发表期刊： 1998年7期页码:摘要： 在一般遗传算法GA的基础上,基于模糊集理论中的模糊关系方程的解的寻优问题提出了模糊遗传算法FGA,它能有效地找出模糊关系方程的解的寻优问题的近似最优解.还给出了一个重要的定理:模糊模式定理.
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9. 热沉最佳稳定工况仿真技术刊名： 高技术通讯发表期刊： 1998年7期页码:摘要： 介绍了热沉最佳稳定工况的概念、数学模型及其计算机实现,并利用本文的软件对国内最大的空间环模器热沉进行了仿真研究,验证了该技术的可行性.热沉最佳稳定工况仿真研究对指导大型空间环境模拟器初期的调...
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刊名： 高技术通讯发表期刊： 1998年7期页码:摘要： 利用浸渍法在铝合金2024表面上获得了混合稀土转化膜.确定了成膜的最佳工艺.利用湿热试验、盐水浸渍试验及电化学测试方法评价了膜的耐蚀性能.用扫描电镜观察了膜的微观形态.提出了膜形成的可能机理...
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刊名： 高技术通讯发表期刊： 1998年7期页码:摘要： 以透气性能良好的二甲基硅橡胶为基质,将溶有八乙基卟啉钯(PdOEP)的硅橡胶溶液涂于铝板上,用395nm的紫外光源照射硅橡胶涂层,在不同的压力下,观察发光强度的变化.由于空气中的氧气有猝灭P...
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刊名： 高技术通讯发表期刊： 1998年7期页码:摘要： TMV两种突变体TSHc和TBD,共同接种于烟草叶片.Northern杂交的结果表明这两种突变体由于功能上互补而产生了系统侵染.ELISA和Western的检测结果表明烟草的上部叶片表达了丙...
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13. 水稻细菌性条斑病抗性基因定位刊名： 高技术通讯发表期刊： 1998年7期页码:摘要： 以高感和高抗细菌性条斑病(细条病)的两个籼稻品种H359和Acc8558为亲本,建立了一个重组自交系群体.利用该群体构建了一张包含225个分子标记的连锁图.1996和1997连续两年对该群体...
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刊名： 高技术通讯发表期刊： 1998年7期页码:摘要： 为惯性约束聚变(ICF)研究提供了激光驱动内爆二维数值模拟方法及其2D3THL应用程序.该模拟方法描述的主要物理过程包括质量守恒、动量守恒以及电子温度、离子温度、光子温度脱离的和真实状态方程...
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刊名： 高技术通讯发表期刊： 1998年7期页码:摘要： 就利用蛋白酶在有机介质中合成小肽研究所涉及的几个关键问题以及方法学上的研究进展情况作了讨论和评述,目的在于探讨如何构建一个理想的肽键合成体系.
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16. 半导体SiC材料的外延生长刊名： 高技术通讯发表期刊： 1998年7期页码:摘要： SiC具有禁带宽度大、热导率高、电子的饱和漂移速度大、临界击穿电场高和介电常数低等特点,在高频、大功率、耐高温、抗辐照的半导体器件及紫外探测器和短波发光二极管等方面具有广泛的应用前景.本文简...
高技术通讯基本信息
| 刊名 | 高技术通讯 | 主编 | 赵志耘 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国科学技术信息研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国科学技术部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1002-0470 | CN | 11-2770/N |
| 邮编 | 100045 | 电子邮箱 | hitech@istic.ac.cn |
| 电话 | 010-68514060；68598272 | 网址 | www.hitech863.com |
| 地址 | 北京市三里河路54号 |
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| 1. | 《中国科学引文数据》刊源 |
| 2. | 《中国科技论文统计与分析》刊源 |
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