半导体SiC材料的外延生长

• 作者: 李晋闽 林兰英 王引书
• 来源期刊: 高技术通讯
• 学科: 工学
• 年，卷（期）: 1998,（7）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 59
• 分类号: TB3|TN3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-0470.1998.07.014

摘要

SiC具有禁带宽度大、热导率高、电子的饱和漂移速度大、临界击穿电场高和介电常数低等特点,在高频、大功率、耐高温、抗辐照的半导体器件及紫外探测器和短波发光二极管等方面具有广泛的应用前景.本文简要介绍SiC半导体材料的液相外延、化学气相和分子束外延生长的概况及生长过程中杂质的控制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李晋闽	中国科学院半导体所	75	652	13.0	23.0
2	林兰英	中国科学院半导体所	33	145	7.0	10.0
3	王引书	中国科学院半导体所	3	63	3.0	3.0