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微纳电子技术期刊
出版文献量（篇）
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16974

微纳电子技术

Micronanoelectronic Technology
曾用名： 半导体情报(1964-2001)

AJSACSTPCD

影响因子 0.4364
《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。 创刊4年以来，汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体，通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向，为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成... 更多
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
俄罗斯《AJ》收录  美国《剑桥科学文摘》收录  英国《SA》,INSPEC数据库收录 
ISSN：
1671-4776
CN：
13-1314/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
石家庄市179信箱46分箱
出版文献量（篇）
3266
总下载数（次）
22
总被引数（次）
16974
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  • 1. 发展氮化镓集成电路的考虑
    作者： 袁明文
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2003年6期
    页码:  1-5
    摘要： 介绍了氮化镓微电子器件的优势和现状.提出将GaN HEMT作为微波器件用于混合微波集成电路(MIC)和微波单片集成电路(MMIC),在射频输出功率、器件优值等方面,均具有明显优点,并列举了成...
  • 2. 纳米电子器件中的噪声及其应用研究
    作者： 张志勇 王太宏
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2003年6期
    页码:  6-15
    摘要： 对多种纳米材料和纳米器件的噪声进行了比较详细的研究,对纳米器件中几种常用的噪声测量方法进行了探讨.讨论了利用噪声(主要是散粒噪声)进行介观电学机制探测的方法,并提出了用于解决单电子晶体管中背...
  • 3. 纳米气敏传感器研究进展
    作者： 任宏亮 何金田 梁二军 田臻锋
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2003年6期
    页码:  16-21
    摘要： 纳米传感器具有传统的传感器所不能比拟的优越性能.本文介绍了目前纳米传感器的发展概况,重点介绍了纳米气敏传感器的发展.
  • 4. 纳米气体敏感材料的喷射共沉淀法制备及特性
    作者： 余增亮 刘锦淮 张鉴 焦正
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2003年6期
    页码:  22-25,42
    摘要： 在化学共沉淀法的基础上进行改进,采用喷射共沉淀法,制备了ZnGa2O4和ZnFe2O4等一些具有良好形貌的纳米气敏功能材料.采用XRD、SEM和TEM进行结构分析的结果表明,喷射共沉淀法制备...
  • 5. MBE生长InGaAs/In0.32≤x≤0.52Al1-xAs MM-HEMT材料
    作者： 张晓娟 邱凯 陈建炉
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2003年6期
    页码:  26-28
    摘要： 在GaAs衬底上利用分子束外延技术生长了不同In组分的Metamorphic HEMT(简称MM-HEMT).通过对MM-HEMT材料中台阶式缓冲层材料种类、台阶宽度、初始组分以及生长温度等...
  • 6. 微透镜阵列显示技术研究
    作者： 杜春雷 董小春
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2003年6期
    页码:  29-32,45
    摘要： 通过对微透镜阵列结构进行深入研究,揭示了微透镜阵列对微图形的放大原理.并在此基础上,找到了微透镜阵列结构参数、微图形结构参数与微图形阵列移动速度、移动方向以及放大倍率之间的关系,利用微透镜阵...
  • 7. 碘过饱和KOH溶液对硅(110)晶面腐蚀的改善
    作者： 前中一介 景玉鹏 藤田孝之 高山洋一郎
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2003年6期
    页码:  33-38
    摘要： 将非金属元素碘作为硅的KOH腐蚀液的添加物,在对(100)和(110)单晶硅片的各向异性腐蚀中,获得了更为丰富的异向腐蚀特性和更为光滑的腐蚀表面.当温度在95℃,KOH腐蚀液中碘的摩尔比为0...
  • 8. STM·IPC-205B型扫描隧道显微镜的技术与应用
    作者： 刘桂芬 杨学恒 钟宏杰
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2003年6期
    页码:  39-42
    摘要： 扫描隧道显微镜(STM)作为纳米科技中最为有效和重要的检测加工手段之一,其应用随着纳米科技热的兴起而日益引起人们的重视.本文简述了STM@IPC-205B型机的工作原理及应用,以具体实例的S...
  • 9. 用激光束成像法测量双E型硅弹性膜应变
    作者： 邓永和
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2003年6期
    页码:  43-45
    摘要： 报道了用激光束成像法对双E型传感器的硅弹性膜在不同压力情况下的应变进行的研究,并测出该弹性膜的应变情况.此方法对其他形式的敏感芯片应变的研究具有一定的参考价值.
  • 10. 纳米技术与产业化
    作者：
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2003年6期
    页码:  46-47
    摘要：
  • 11. 90nm技术进程
    作者：
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2003年6期
    页码:  46-46
    摘要：
  • 12. 仕嘉科技发展有限公司
    作者：
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2003年6期
    页码:  48-48
    摘要：

微纳电子技术基本信息

刊名 微纳电子技术 主编 李和委
曾用名 半导体情报(1964-2001)
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1671-4776 CN 13-1314/TN
邮编 050002 电子邮箱 wndz@vip.sina.com
电话 0311-87091487 网址 www.wndz.org
地址 石家庄市179信箱46分箱

微纳电子技术评价信息

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