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摘要:
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基于90nm SOI CMOS工艺的24GHz信号发生器
SOI CMOS
功率放大器
信号发生器
90nm MOS器件亚阈值区RTS噪声幅度
RTS
幅度
深亚微米
MOS
90nm工艺下nMOS器件最大衬底电流应力特性
最大衬底电流应力
关态
带带遂穿
陷阱电荷
GIDL
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
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(/年)
文献信息
篇名 90nm技术进程
来源期刊 微纳电子技术 学科
关键词
年,卷(期) 2003,(6) 所属期刊栏目 业界快讯
研究方向 页码范围 46-46
页数 1页 分类号
字数 语种 中文
DOI
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相关学者/机构
期刊影响力
微纳电子技术
月刊
1671-4776
13-1314/TN
大16开
石家庄市179信箱46分箱
18-60
1964
chi
出版文献量(篇)
3266
总下载数(次)
22
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