基于90nm低功耗NMOS工艺射频器件的版图优化

• 作者: 刘军 孙玲玲 李文钧 郑伟
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: RF-MOSFET 版图 寄生成分 电流增益截止频率 功率增益截至频率
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 645-648
• 分类号: TN432
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2011.06.011

摘要

从器件版图结构的布局布线出发,提出了射频器件性能增强的的方法.寄生电容,寄生电阻会明显弱化大尺寸器件的射频性能,通过多个小尺寸单元管子的并联,形成大尺寸器件,从版图的布局布线出发,减小寄生电容,寄生电阻,优化器件结构,提升射频性能.在总栅宽一定时,通过变换单元器件的栅指数与器件的并联数,寻找最佳组合.通过优化,功率增益截至频率提升约300 GHz.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙玲玲	杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室	68	213	8.0	9.0
2	郑伟	杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室	6	0	0.0	0.0
3	李文钧	杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室	20	61	5.0	6.0
4	刘军	杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室	30	47	4.0	6.0