STI应力对90nm SONOS存储器的影响分析

• 作者: 徐跃 闫锋
• 来源期刊: 南京邮电大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 浅沟道隔离 机械应力 非易失存储器 氮化硅衬垫
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 80-83,89
• 分类号: TP333.5
• 字数: 1965字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-5439.2010.04.013

摘要

随着CMOS工艺按比例缩小到90 nm以下,浅沟槽隔离(STI)引起的机械应力对MOSFET器件性能的影响越来越严重.通过实验和TCAD仿真研究了STI应力对一种SONOS结构的90 nm非易失存储器的影响.实验和仿真结果表明由于受到STI压应力的作用,靠近STI的SONOS边角存储单元和远离STI的中心存储单元存在阈值电压分布不一致的问题.为了减小STI应力对边角存储单元的影响,分别采用STI recess和STI Si3N4 liner两种工艺去减缓STI产生的压应力.TCAD仿真结果表明采用STI Si3N4 liner工艺后边角存储单元受到的STI压应力比原有的基本工艺降低了20%以上.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐跃	南京邮电大学电子科学与工程学院	27	94	7.0	8.0
2	闫锋	南京大学电子科学与工程学院	3	14	2.0	3.0