基于TCAD的90 nm STI应力仿真与研究

• 作者: 刘军 刘秉涛 孙玲玲
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: NMOSFET STI机械应力 x轴应力 TCAD
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 页码范围: 676-679
• 分类号: TN386.1
• 字数: 401字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2010.06.007

摘要

研究了90 nm CMOS工艺下浅槽隔离技术产生的x轴应力对NMOSFET电学性能的影响.用新一代集成工艺仿真软件Sentaurus TCAD对不同有源区宽度(Sa=0.4 μm～3.2 μm,间隔0.4 μm)的90 nm沟长NMOSFET进行了仿真并和测量数据进行了对比.随着有源区宽度从3.2 μm减小到0.4 μm,NMOSFET的饱和电流减小了7%,但其阈值电压增大了8%.这说明有源区宽度的减小使得STI应力增大,进一步减小了NMOSFET中电子迁移率和沟道中halo注入浓度的扩散,使得饱和电流退化,阈值电压增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙玲玲	杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室	68	213	8.0	9.0
2	刘军	杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室	30	47	4.0	6.0
3	刘秉涛	杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室	1	1	1.0	1.0