90纳米CMOS双阱工艺下STI深度对电荷共享的影响

• 作者: 刘凡宇 刘必慰 刘衡竹 梁斌
• 来源期刊: 国防科技大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电荷共享 单粒子效应 浅沟槽隔离(STI) 双极效应
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 所属期刊栏目: 控制工程·机电工程·计算机工程
• 页码范围: 136-139
• 分类号: TP302
• 字数: 2236字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2486.2011.02.028

摘要

基于3维TCAD器件模拟,研究了90nm CMOS双阱工艺下STI对电荷共享的影响.研究结果表明:增大STI深度能有效抑制NMOS电荷共享,且550nm为抑制电荷共享的有效深度,超过这个深度收集的电荷量几乎保持不变;而对于PMOS,STI深度的增加使电荷共享线性减小.这对于电荷共享加固具有重要指导意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘衡竹	国防科技大学计算机学院	19	193	9.0	13.0
2	刘必慰	国防科技大学计算机学院	17	101	6.0	9.0
3	梁斌	国防科技大学计算机学院	17	102	6.0	9.0
4	刘凡宇	国防科技大学计算机学院	3	17	2.0	3.0