90 nm CMOS工艺下电压触发的ESD检测电路

• 作者: 刘红侠 朱嘉 杨兆年 费晨曦
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 反馈 检测电路 静电放电 电压触发
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 页码范围: 54-60
• 页数: 7页
• 分类号: TN495
• 字数: 4497字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2015.03.010

摘要

提出两种90 nm 1 V CMOS工艺下电压触发的静电放电检测电路.电压触发的静电检测电路避免了纳米级工艺中的 MOS电容栅极漏电问题.该检测电路包含一个反馈回路，提高了检测电路的触发效率，同时增加了反馈关断机制，在芯片工作时检测电路由于某些特殊因素误触发后，仍然可以自行关断，而不会进入闩锁状态.在3 V静电放电仿真时，该电路能产生28 mA触发电流，以开启箝位器件来泄放静电电荷.在25℃正常电压下工作时，漏电流仅为42(45)nA.仿真结果表明，该检测电路可成功用于纳米级 CMOS工艺的集成电路静电保护.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘红侠	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	91	434	10.0	15.0
2	杨兆年	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	5	11	2.0	3.0
3	朱嘉	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	4	4	1.0	1.0
4	费晨曦	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	1	2	1.0	1.0