纳米器件电荷共享效应研究

• 作者: 关文博 张振辉 滕宇
• 来源期刊: 大科技
• 学科: 航空航天
• 关键词: 电荷共享 单粒子效应 双极放大效应 随机静态存储器
• 年，卷（期）: 2017,（27）
• 所属期刊栏目: 工艺与设备
• 页码范围: 216
• 页数: 1页
• 分类号: V443
• 字数: 1937字
• 语种: 中文

摘要

本文基于TSMC65nm工艺,并利用Sentaurus TCAD软件建立模型并研究NMOS和PMOS在电荷共享中电荷收集的物理机理,通过不同工艺条件、版图布局以及阱接触面积来观察电荷共享变化情况.最后,将研究SRAM基本单元的翻转再恢复效应,并证明电荷共享是导致其翻转再恢复的原因,并研究了P+深阱浓度对SRAM单元翻转再恢复的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张振辉		24	65	5.0	6.0
2	关文博		3	1	1.0	1.0
3	滕宇		3	1	1.0	1.0