微纳电子技术期刊
出版文献量(篇)
3266
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16974

微纳电子技术

Micronanoelectronic Technology
曾用名: 半导体情报(1964-2001)

AJSACSTPCD

影响因子 0.4364
《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。 创刊4年以来,汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体,通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向,为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
俄罗斯《AJ》收录  美国《剑桥科学文摘》收录  英国《SA》,INSPEC数据库收录 
ISSN:
1671-4776
CN:
13-1314/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄市179信箱46分箱
出版文献量(篇)
3266
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16974
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  • 作者: 田彦文 翟玉春 马江虹
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2003年9期
    页码:  1-4
    摘要: 综述了硫化物纳米管的发现、结构和独特的性质,对硫化物纳米管的制备方法进行了详细地说明,包括化学汽相沉积法、模板法、电子辐射法、等离子体法、催化法等,介绍了硫化物纳米管作为原子力显微镜的扫描探...
  • 作者: 孙海波 李玉国 王强 石礼伟 薛成山
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2003年9期
    页码:  5-10,28
    摘要: 钴基合金和铁基合金磁性纳米颗粒薄膜和纳米超晶格结构,由于具有较高的矫顽力和各向异性能,较小的粒子尺寸分布和能形成"单域"结构等特性,从而成为颇有潜力的高密存储介质.最近几年,人们竞相研究其制...
  • 作者: 刘之景 黄娆
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2003年9期
    页码:  11-14,18
    摘要: 在超大规模集成电路中,随着器件集成度的提高和延迟时间的进一步减小,需要应用新型低介电常数(k<3)材料.本文介绍了当前正在研究和开发的几种低介电材料,其中包括聚合物、掺氟、多孔和纳米介电材料...
  • 作者: 杨邦朝 陈金菊 韩莉坤
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2003年9期
    页码:  15-18
    摘要: 通过分析1993~2000年日本纳米科技相关专利的数目、专利的领域以及企业申请专利的情况,了解日本纳米科技及其纳米产业,可供我国从事纳米科技研究时参考.
  • 作者: 孙晓刚 曾效舒
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2003年9期
    页码:  19-21
    摘要: CVD工艺制备碳纳米管阵列,二甲苯(C6H4(CH3)2)作为碳源气体,二茂铁(C10H10Fe)作为催化剂前驱体,反应温度为700~800℃,碳纳米管直径30~60nm,长度50~60μm...
  • 作者: 宋秀芹 张雪红 杨晓辉
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2003年9期
    页码:  22-25
    摘要: 纳米金属氧化物空心球由于具有低密度、较好的过滤性、特殊的极性及光学性质,广泛应用于医学、材料学、制药学、染料工业等领域.本文介绍了纳米金属氧化物空心球的制备及表征方法,并对其形成机理、反应条...
  • 作者: 翟玉春 霍玉秋
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2003年9期
    页码:  26-28
    摘要: 首次采用醇盐水解沉淀法制备出粒度为40 nm、颗粒均匀的球型二氧化硅粒子,并利用X射线衍射、透射电镜对粒子的性能进行了测试.讨论了温度、催化剂浓度、洗涤剂种类等对二氧化硅最终粒径及水解反应速...
  • 作者: 刘益春 单桂晔 孔祥贵 安利民
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2003年9期
    页码:  29-34
    摘要: 通过溶胶-凝胶的方法,在乙醇溶液中合成了40nm和60nm两种不同粒径的SiO2纳米粒子,并将其分别与聚乙烯咔唑(PVK)混和,得到了不同粒径、不同质量分数配比的PVK/SiO2纳米粒子复合...
  • 作者: 廖建辉 武建国 葛存旺 虞伟 顾宁
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2003年9期
    页码:  35-38
    摘要: 采用柠檬酸钠还原法制备了3种不同粒径的胶体金纳米粒子,分别用于与蛋白质分子标记.同时以琼脂糖凝胶为支持介质,观察其在电场条件下的泳动行为特征,并进行对比研究.结果表明,在特定电场条件下,胶体...
  • 作者: 孙海波 李玉国 王强 石礼伟
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2003年9期
    页码:  39-43
    摘要: 概括了宽带隙半导体材料碳化硅的主要特性及生长方法,介绍了其在微电子及光电子领域的应用,并对其发展动态及存在问题进行了简要评述.
  • 作者: 廖学红 杨水彬 陈年友
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2003年9期
    页码:  44-46
    摘要: 在十二烷基硫酸钠的水溶液中,以Cd(NO3)2和TAA为源材料,通过微波辐射加热合成了立方晶相CdS半导体纳米粒子,并用XRD、TEM、紫外反射光谱及荧光光谱进行了表征.

微纳电子技术基本信息

刊名 微纳电子技术 主编 李和委
曾用名 半导体情报(1964-2001)
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1671-4776 CN 13-1314/TN
邮编 050002 电子邮箱 wndz@vip.sina.com
电话 0311-87091487 网址 www.wndz.org
地址 石家庄市179信箱46分箱

微纳电子技术评价信息

期刊荣誉
1. 俄罗斯《AJ》收录
2. 美国《剑桥科学文摘》收录
3. 英国《SA》,INSPEC数据库收录

微纳电子技术统计分析

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