微纳电子技术期刊
出版文献量(篇)
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微纳电子技术

Micronanoelectronic Technology
曾用名: 半导体情报(1964-2001)

AJSACSTPCD

影响因子 0.4364
《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。 创刊4年以来,汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体,通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向,为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
俄罗斯《AJ》收录  美国《剑桥科学文摘》收录  英国《SA》,INSPEC数据库收录 
ISSN:
1671-4776
CN:
13-1314/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄市179信箱46分箱
出版文献量(篇)
3266
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  • 作者: 王立鼎 褚金奎 郝秀春
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2005年10期
    页码:  441-445,483
    摘要: 通过对两种柔性结构的拓扑优化,比较了拓扑优化中三种主要求解方法的优缺点.分别用优化准则法(OC)、序列线性规划法(SLP)和移动渐近线法(MMA)对悬臂结构和力反相机构进行了拓扑设计.OC法...
  • 作者: 郭维廉
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2005年10期
    页码:  446-454
    摘要: 在"共振隧穿器件概述"的基础上,对共振隧穿器件应用电路作了全面概括的介绍.首先对共振隧穿器件应用电路的特点、分类和发展趋势作了简述;进一步对由RTD/HEMT构成的单-双稳转换逻辑单元(MO...
  • 作者: 张波 徐晓峰 梁二军 王良 谢涵坤
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2005年10期
    页码:  455-458,488
    摘要: 利用磁控溅射制备了纯ZnO薄膜,并在NH3-O2-Ar气氛中溅射Zn靶实现了ZnO薄膜的N掺杂;利用双靶共溅的方法分别制备了Al掺杂和N+Al掺杂样品.原子力显微镜(AFM)观察显示各ZnO...
  • 作者: 何修军 占红明 陈伟 陈良 饶海波
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2005年10期
    页码:  459-462,468
    摘要: 介绍了单分散量子点的无机成核/有机包裹的合成方法,并通过选择性沉淀可以得到单分散的半导体量子点;介绍了TEM,XRD,UV-Vis吸收谱对纳米Ⅱ-Ⅵ族量子点的表征.
  • 作者: 吴振宇 杨银堂 汪家友 苏祥林
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2005年10期
    页码:  463-468
    摘要: 介绍了低k介质材料的研究和发展状况,从制备方法和材料特性等不同角度对低k材料进行分类,并结合ULSI对低k材料的要求讨论了低k材料在ULSI中的应用前景.
  • 作者: 丁桂甫 姜政 张东梅
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2005年10期
    页码:  469-472
    摘要: 利用ANSYS有限元分析软件并结合工艺条件,就其中的热执行按照快速响应的特点,对各结构参数与热执行器部件的驱动力、驱动位移、电阻、响应时间等驱动性能的影响进行了分析与仿真,从而得到了优化结构...
  • 作者: 吴学忠 张建辉 李伟东 李圣怡
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2005年10期
    页码:  473-476
    摘要: 简单介绍了ICP刻蚀系统和刻蚀原理.通过实验分析了ICP刻蚀SiO2和Cr时,刻蚀速率随相关工艺参数变化而变化的几点规律.同时给出了用ICP刻蚀出的MEMS传感器Si基腔的表面形貌图和Cr电...
  • 作者: 刘宏英 姜炜 李凤生 杨毅
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2005年10期
    页码:  477-480
    摘要: 为了解决目前普通球磨机在制备微纳米片状金属粉时存在的粉碎效率不高、能耗高等问题,结合球磨机和搅拌磨的粉碎原理和结构,设计并研制了一种内部搅拌轴和外部筒体反向旋转的球磨机.考察了该设备对金属粉...
  • 作者: 何世明 刘兴钊 李言荣 段滨
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2005年10期
    页码:  481-483
    摘要: 研究了交流测试信号振幅对SrTiO3薄膜介电性质的影响,并比较研究了不同氧空位浓度的SrTiO3薄膜介电性质随测试信号振幅的变化规律.经研究发现,测试信号振幅对高氧空位浓度钛酸锶薄膜的相对介...
  • 作者: 伍三忠 孙勇 孙雪平 王玮琪 王迪平
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2005年10期
    页码:  484-486
    摘要: 介绍了离子注入机中注入剂量的均匀性检测和校正,着重阐述了均匀性的检测原理、均匀性计算公式、均匀性检测和校正流程及算法.
  • 作者:
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2005年10期
    页码:  487-488
    摘要:
  • 作者:
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2005年10期
    页码:  489
    摘要:
  • 作者: 《微纳电子技术》编辑部
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2005年10期
    页码:  489
    摘要:
  • 作者:
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2005年10期
    页码:  490
    摘要:

微纳电子技术基本信息

刊名 微纳电子技术 主编 李和委
曾用名 半导体情报(1964-2001)
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1671-4776 CN 13-1314/TN
邮编 050002 电子邮箱 wndz@vip.sina.com
电话 0311-87091487 网址 www.wndz.org
地址 石家庄市179信箱46分箱

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2. 美国《剑桥科学文摘》收录
3. 英国《SA》,INSPEC数据库收录

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