微纳电子技术期刊
出版文献量(篇)
3266
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16974

微纳电子技术

Micronanoelectronic Technology
曾用名: 半导体情报(1964-2001)

AJSACSTPCD

影响因子 0.4364
《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。 创刊4年以来,汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体,通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向,为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
俄罗斯《AJ》收录  美国《剑桥科学文摘》收录  英国《SA》,INSPEC数据库收录 
ISSN:
1671-4776
CN:
13-1314/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄市179信箱46分箱
出版文献量(篇)
3266
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16974
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  • 作者: 张弘 彭英才 李社强 杜会静
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2005年12期
    页码:  537-540,553
    摘要: 介绍了近年内以全Si光电子集成为主要目标的Si光子学研究在各类Si光子器件,如发光二极管、激光器、光探测器、光调制器以及光子晶体等方面所取得的一些最新进展,预计全Si光电子集成技术有望在未来...
  • 作者: 褚金奎 赵开春
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2005年12期
    页码:  541-545
    摘要: 复杂环境中的导航定位能力对于动物和机器人来说是至关重要的,很多昆虫通过天空中的偏振光模式图来获取方向信息.偏振视觉是以这些昆虫眼睛背部区域一些特殊结构的复眼为媒介的,这些复眼中包含有对于偏振...
  • 作者: 刘爽 刘颖力 唐晓莉 张怀武 石玉 钟智勇
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2005年12期
    页码:  546-553
    摘要: 自旋晶体管是指利用电子自旋自由度构建的在结构上类似于传统半导体晶体管的三端自旋器件.对基于自旋劈裂的磁双极型自旋晶体管、基于热电子输运的自旋晶体管和基于Rashba效应的自旋晶体管的最新研究...
  • 作者: 吴振宇 杨银堂 苏祥林 蒋昱
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2005年12期
    页码:  554-557
    摘要: 以C4F8为源气体,Ar为稀释气体,用电子回旋共振化学汽相淀积的方法制作了非晶氟化碳薄膜;使用XPS和FTIR分析薄膜的化学组分和成键类型;研究了微波功率对于沉积速率和薄膜光学性质的影响.沉...
  • 作者: 于雷 裴素华
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2005年12期
    页码:  558-560,570
    摘要: 二氧化钛(TiO2)是响应三甲胺(TMA)气体的最佳金属氧化物半导体材料.为保持TiO2基旁热式气敏器件具有较高灵敏度、热稳定性和较低器件空气阻值(Ra),用X射线衍射和参数测试等方法,对T...
  • 作者: 刘莹 李一冰 李小兵 王强 胡敏 陈兵芽
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2005年12期
    页码:  561-565
    摘要: 在微机电系统中,微执行器是核心部件.为了优化设计微执行器,通过对比近年来各种微执行器的研究和发展,系统地总结了线性位移微执行器所采用的驱动原理、驱动方式和应用以及存在的优缺点等.针对热执行器...
  • 作者: 廖小平 范小燕
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2005年12期
    页码:  566-570
    摘要: 在提出间接加热终端式MEMS微波功率传感器结构和工艺的基础上,用Coventorware软件和ANSYS软件对其温度分布进行了模拟,根据热电堆的放置位置不同,分别对热电堆处于终端电阻的下方(...
  • 作者: 万江文 冯仁剑 凌坚
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2005年12期
    页码:  571-574
    摘要: 驱动电压过高是MEMS微镜需要解决的重点问题.根据平板静电驱动器原理,设计了一种新型三层电极平板结构的静电驱动MEMS微镜,分析了此微镜系统的静态特性和动态特性.此微镜系统的设计驱动电压为6...
  • 作者: 顾文琪 马向国
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2005年12期
    页码:  575-577,582
    摘要: 对聚焦离子束加工技术在集成电路芯片的诊断与修改、修复光刻掩模缺陷、制作透射电镜样品以及多用途微切割上的应用作了详细介绍.
  • 作者: 李惠军 郭琦 霍林
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2005年12期
    页码:  578-582
    摘要: 分别采用流体力学模型和漂移扩散模型对不同沟道长度的NMOSFET进行衬底电流的提取,并以NMOSFET沟道长度和LDD注入峰值综合对器件特性的影响为研究内容,介绍了集成电路可制造性设计中器件...
  • 作者:
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2005年12期
    页码:  583-585
    摘要:

微纳电子技术基本信息

刊名 微纳电子技术 主编 李和委
曾用名 半导体情报(1964-2001)
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1671-4776 CN 13-1314/TN
邮编 050002 电子邮箱 wndz@vip.sina.com
电话 0311-87091487 网址 www.wndz.org
地址 石家庄市179信箱46分箱

微纳电子技术评价信息

期刊荣誉
1. 俄罗斯《AJ》收录
2. 美国《剑桥科学文摘》收录
3. 英国《SA》,INSPEC数据库收录

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