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微纳电子技术期刊
出版文献量（篇）
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16974

微纳电子技术

Micronanoelectronic Technology
曾用名： 半导体情报(1964-2001)

AJSACSTPCD

影响因子 0.4364
《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。 创刊4年以来，汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体，通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向，为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成... 更多
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
俄罗斯《AJ》收录  美国《剑桥科学文摘》收录  英国《SA》,INSPEC数据库收录 
ISSN：
1671-4776
CN：
13-1314/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
石家庄市179信箱46分箱
出版文献量（篇）
3266
总下载数（次）
22
总被引数（次）
16974
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  • 1. 共振隧穿器件及其集成技术发展趋势和最新进展
    作者： 牛萍娟 苗长云 郭维廉
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2005年7期
    页码:  298-304
    摘要： 介绍了共振隧穿器件及其特点,论述了该类器件及其集成技术的发展趋势和最新进展,特别是SiO2/Si/SiO2共振隧穿二极管及其集成电路的研制成功是一个突破性的进展.
  • 2. 一维ZnO纳米结构的电子场发射研究
    作者： 万青 丰平 王太宏
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2005年7期
    页码:  305-310
    摘要： 在大量制备一维ZnO纳米结构的基础上,研究了这些纳米结构的场发射性能.对于四角状ZnO纳米结构,获得1.0 mA/cm2的电流密度只需要4.5 V/μm的电场;对于线状ZnO纳米结构,获得1...
  • 3. 量子点激光器
    作者： 刘育梁 陈鹏
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2005年7期
    页码:  311-317
    摘要： 主要介绍了量子点激光器的产生、量子点的生长制作、激光器基本结构和性能、最新进展和未来发展要解决的问题.
  • 4. 聚合条件对P(St-co-AA)乳胶粒子结构的影响
    作者： 官建国 王振杰 甘治平
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2005年7期
    页码:  318-321
    摘要： 用无皂乳液聚合法,通过控制聚合时电解质浓度([M])、丙烯酸浓度([AA])及其加入时机等条件合成了粒径和表面羧基含量可控的P(St-co-AA)乳胶粒子,研究了P(St-co-AA)乳胶粒...
  • 5. 半导体量子点自组织生长的计算机模拟研究
    作者： 娄朝刚 李献杰 韩建栋
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2005年7期
    页码:  322-324,328
    摘要： 采用平均场模型和非平均场模型对半导体量子点的自组织生长过程进行了计算机模拟研究.结果表明两种模型给出了相似的量子点的大小分布,但在平均尺寸、数量以及覆盖面积随时间的变化上存在着差别,针对这些...
  • 6. SRO薄膜的倒筒式直流溅射生长
    作者： 刘兴钊 吴传贵 熊杰 黄雄飞
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2005年7期
    页码:  325-328
    摘要： 采用倒筒式直流溅射方法在(001)LaAlO3[LAO]基片上原位生长SrRuO3(SRO)薄膜,系统研究了基片温度、溅射气氛等工艺参数对SRO薄膜织构、表面形貌的影响.实验结果表明,在基片...
  • 7. 利用单片机实现微加速度计性能自动测试
    作者： 冯宇翔 吴天准 董景新 赵长德
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2005年7期
    页码:  329-332
    摘要： 利用ATMEL公司的高速嵌入式单片机实现MEMS加速度计性能指标的自动测试,对系统中的模拟地与数字地分离、正负电压上电时间控制、温度信息采集、串口通讯协议等细节作了详细分析.结果表明,这是一...
  • 8. 整体式微纳操作器结构分析与改进
    作者： 戴辉 董卫军 马奎
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2005年7期
    页码:  333-335
    摘要： 结合微操作机器人的特点,提出一种新型的三维整体式微纳操作器,利用有限元分析方法,在制造出整体式微纳操作器之前,对其进行了模拟测试,并从中找出了不足,基于Patran软件,研究出对静止力的模拟...
  • 9. ULSI关键工艺技术--纳米级化学机械抛光
    作者： CHEN Bomy 宋志棠 封松林 张楷亮
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2005年7期
    页码:  336-339
    摘要： IC器件尺寸的纳米化,要求高的光刻曝光分辨率,在采用短波长和大数值孔径曝光系统提高分辨率的同时导致了焦深变浅,进而对晶片表面的平坦化要求越来越高.在比较了IC工艺中的四种平坦化技术基础上,重...
  • 10. 降低CMP用SiO2溶胶中金属离子含量及其机理探析
    作者： 刘玉岭 张元 张建新 王娟
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2005年7期
    页码:  340-344
    摘要： 探析了阳、阴离子树脂对SiO2溶胶中金属离子交换去除的机理,确定阳-阴-阳三步法对SiO2溶胶进行金属离子去除,而后由有机碱调节pH值至碱性稳定区,从而制得高纯度、高稳定性微电子CMP用Si...
  • 11. SEMI2005技术创新项目
    作者：
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2005年7期
    页码:  344
    摘要：

微纳电子技术基本信息

刊名 微纳电子技术 主编 李和委
曾用名 半导体情报(1964-2001)
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1671-4776 CN 13-1314/TN
邮编 050002 电子邮箱 wndz@vip.sina.com
电话 0311-87091487 网址 www.wndz.org
地址 石家庄市179信箱46分箱

微纳电子技术评价信息

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