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微纳电子技术期刊
出版文献量（篇）
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16974

微纳电子技术

Micronanoelectronic Technology
曾用名： 半导体情报(1964-2001)

AJSACSTPCD

影响因子 0.4364
《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。 创刊4年以来，汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体，通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向，为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成... 更多
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
俄罗斯《AJ》收录  美国《剑桥科学文摘》收录  英国《SA》,INSPEC数据库收录 
ISSN：
1671-4776
CN：
13-1314/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
石家庄市179信箱46分箱
出版文献量（篇）
3266
总下载数（次）
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总被引数（次）
16974
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  • 1. 一种新的自旋量子效应——电流感应磁化翻转
    作者： 任敏 张磊 胡九宁 邓宁 陈培毅
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2006年12期
    页码:  553-557,581
    摘要： 电流感应的磁化翻转效应是近年来继巨磁阻效应(GMR)和隧道磁阻效应(TMR)之后提出的一种nm尺度下新的自旋相关效应,在无外加磁场的情况下,垂直于铁磁层平面的自旋极化电流就能引起铁磁层的磁化...
  • 2. RTD交流小信号等效电路模型——共振隧穿器件讲座(7)
    作者： 郭维廉
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2006年12期
    页码:  558-563
    摘要： RTD交流小信号等效电路模型是分析RTD交流特性的基础,也是用网络分析仪测量S参数,拟合提取交流参数和计算截止频率fR的依据.精确、合理的等效电路模型有助于深入理解RTD的工作原理,也对RT...
  • 3. RTD器件参数和测量方法——共振隧穿器件讲座(8)
    作者： 郭维廉
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2006年12期
    页码:  564-571,581
    摘要： 表征RTD器件特性和性能的参数分为直流负阻、等效电路及频率响应和开关时间三类.系统全面地介绍这三类参数及其测量方法,为测量和评价RTD的器件性能打下良好的基础.
  • 4. 热处理对ZnO六棱微管结构及发光特性的影响
    作者： 邓宏 高晖
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2006年12期
    页码:  572-576,591
    摘要： 采用水热法在p-Si(111)衬底上生长出六棱ZnO微管,在空气中进行了300～600 ℃不同温度的热处理,并用XRD、XPS、PL谱研究了热处理对ZnO微管的结构、发光性能的影响.结果表明...
  • 5. 络合剂DTPA对纳米磁性Fe3O4粒子的表面改性研究
    作者： 姜炜 李凤生 杨毅
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2006年12期
    页码:  577-581
    摘要： 采用表面化学修饰法由络合剂DTPA对纳米磁性Fe3O4粒子进行表面化学修饰改性,制备出具有表面螯合性能的纳米磁性Fe3O4/DTPA复合粒子.用多种分析手段对复合粒子进行了性能表征.结果表明...
  • 6. CoFeSiB/Cu/CoFeSiB多层膜的巨磁阻抗效应研究
    作者： 周勇 周志敏 张桂林
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2006年12期
    页码:  582-585
    摘要： 利用射频磁控溅射技术及微细加工技术制备了三明治结构的CoFeSiB/Cu/CoFeSiB多层膜,在频率1～40 MHz下研究了多层膜的纵向和横向巨磁阻抗效应,结果表明曲折状三明治结构多层膜的...
  • 7. 微流体系统驱动技术的研究进展
    作者： 侯丽雅 朱丽 沙菁(丰刀女) 章维一
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2006年12期
    页码:  586-591
    摘要： 微流体驱动大致可以分为两类:一类是从宏观流体驱动移植过来的驱动方式;另一类是根据微尺度下流体特性设计的驱动方式.对两类不同的驱动方式进行了介绍与比较,前者原理成熟,基本都符合经典流体理论,在...
  • 8. InSb抛光片表面粗糙度分析
    作者： 刘承霖 刘玉岭 张伟 贾英茜
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2006年12期
    页码:  592-594
    摘要： 研究了影响InSb抛光片表面的粗糙度的因素,通过实验数据及理论分析,用化学机械抛光的方法有效的降低了InSb抛光片表面的粗糙度.
  • 9. 压阻式加速度传感器表面形貌分形表征
    作者： 朱平 杨卫
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2006年12期
    页码:  595-598
    摘要： 根据分形几何理论,用W-M函数表征压阻式加速度传感器固支梁的表面形貌,并且提出把分形参数D与传统统计参数Ra结合起来共同评定微观形貌质量.利用MSA-400-TPM2型白光干涉仪对其进行测量...

微纳电子技术基本信息

刊名 微纳电子技术 主编 李和委
曾用名 半导体情报(1964-2001)
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1671-4776 CN 13-1314/TN
邮编 050002 电子邮箱 wndz@vip.sina.com
电话 0311-87091487 网址 www.wndz.org
地址 石家庄市179信箱46分箱

微纳电子技术评价信息

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期刊荣誉
1. 俄罗斯《AJ》收录
2. 美国《剑桥科学文摘》收录
3. 英国《SA》,INSPEC数据库收录

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