微纳电子技术期刊
出版文献量(篇)
3266
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16974

微纳电子技术

Micronanoelectronic Technology
曾用名: 半导体情报(1964-2001)

AJSACSTPCD

影响因子 0.4364
《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。 创刊4年以来,汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体,通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向,为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
俄罗斯《AJ》收录  美国《剑桥科学文摘》收录  英国《SA》,INSPEC数据库收录 
ISSN:
1671-4776
CN:
13-1314/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄市179信箱46分箱
出版文献量(篇)
3266
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总被引数(次)
16974
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  • 作者: 张邦维
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  161-166
    摘要:
  • 作者: 郭维廉
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  167-171
    摘要: 介绍了共振隧穿二极管物理模型的量子力学基础,重点讲解共振隧穿两种物理模型,从不同维度隧穿的特点分析共振隧穿和非共振隧穿的区别,为以后讨论分析共振隧穿器件的特性奠定基础.
  • 作者: 郭维廉
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  172-176
    摘要: 介绍了共振隧穿二极管(RTD)中电荷积累效应,利用顺序隧穿模型分析了RTD中有电荷积累时器件各部分电压的再分布;并结合电压降局限于双势垒区和遍及整个RTD的两种情况,建立了电荷和电流方程;最...
  • 作者: 王峻岳 王梦魁
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  177-180,189
    摘要: 重点研究了由CdO-SnO2-WO3系列(简称Cd-Sn-W)和CdO-Sb2O3-WO3系列(简称Cd-Sb-W)及由它们共同组成的双基体三相(Cd2Sb2O7,CdSnO3,CdWO4)...
  • 作者: 卫国英 吴琼 崔玉建 王新庆 舒康颖 葛洪良 陈强
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  181-185,189
    摘要: 目前对CoPt磁性纳米材料的研究主要集中在CoPt磁性纳米颗粒、纳米线以及纳米薄膜三个方面,从这三个方面对CoPt磁性材料的研究进展进行详细地介绍.主要阐述了CoPt磁性纳米材料制备方法以及...
  • 作者: 刘佳宇 杨瑞霞 牛晨亮 耿新华 薛俊明 赵颖
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  186-189
    摘要: 采用中频脉冲磁控溅射系统制备高透过率、高电导率的平面ZnO薄膜.电阻率为5.57×10-4 Ω·cm,载流子浓度2.2×1020 cm-3,霍尔迁移率40.1 cm2/V·s,可见光范围内(...
  • 作者: 刘理天 吴建刚 岳瑞峰 王喆垚 胡欢 赵皛曦
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  190-193
    摘要: 利用电润湿原理制备了一种新型受光反射型显示单元.利用具有良好黏合性、疏水性和耐油性的PDMS(聚二甲基硅氧烷)材料,研制了结构精简的反射型显示单元,成功地控制了显示单元中油滴的扩张与收缩,实...
  • 作者: 姚宁 张兵临 王朝勇 纠智先 袁泽明 邓记才
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  194-196
    摘要: 对Al2O3陶瓷衬底进行粒度为W20的金刚砂机械抛光,采用磁控溅射方法镀过渡层Mo,对其表面进行Nd:YAG激光刻蚀处理.最后在微波等离子体增强化学汽相沉积(MPCVD)反应腔中在一定条件下...
  • 作者: 刘庆纲 李敏 李锁印 栗大超 王璐 胡小唐 魏泽峰
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  197-202
    摘要: 介绍了电光采样测量系统的三大核心组成部分:超短脉冲激光光源、电光材料的采样探针以及时间扫描单元;还介绍了电光采样技术的新进展以及电光采样技术在超快器件频响评价、特定电场的描述以及太赫兹成像等...
  • 作者: 柳美莲 段成华
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  203-208
    摘要: 对MOSFET器件特性、MOSFET建模方法和建模发展历程进行了回顾,分析了在模拟集成电路低功耗设计中比较流行的模型(BSIM3和EKV模型),对它们进行了比较,分析其各自的优点和缺点.结果...

微纳电子技术基本信息

刊名 微纳电子技术 主编 李和委
曾用名 半导体情报(1964-2001)
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1671-4776 CN 13-1314/TN
邮编 050002 电子邮箱 wndz@vip.sina.com
电话 0311-87091487 网址 www.wndz.org
地址 石家庄市179信箱46分箱

微纳电子技术评价信息

期刊荣誉
1. 俄罗斯《AJ》收录
2. 美国《剑桥科学文摘》收录
3. 英国《SA》,INSPEC数据库收录

微纳电子技术统计分析

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