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微纳电子技术期刊
出版文献量（篇）
3266
总下载数（次）
22

微纳电子技术

Micronanoelectronic Technology
曾用名： 半导体情报(1964-2001)

AJSACSTPCD

影响因子 0.4364
《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。 创刊4年以来，汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体，通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向，为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成... 更多
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
俄罗斯《AJ》收录  美国《剑桥科学文摘》收录  英国《SA》,INSPEC数据库收录 
ISSN：
1671-4776
CN：
13-1314/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
石家庄市179信箱46分箱
出版文献量（篇）
3266
总下载数（次）
22
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  • 1. 中美纳电子技术发展对比研究(续)
    作者： 郭树田
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2006年9期
    页码:  405-413,419
    摘要：
  • 2. 铁电存储器的研究进展
    作者： 付承菊 郭冬云
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2006年9期
    页码:  414-419
    摘要： 介绍了铁电存储器的存储原理,同时对两种铁电存储器(铁电随机存取存储器和铁电场效应晶体管存储器)的研究进展、当前存在的问题以及我国目前在这一领域的研究现状进行了简单介绍,并对今后的技术发展进行...
  • 3. 光子晶体垂直腔表面发射激光器及最佳化设计
    作者： 张瑞君
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2006年9期
    页码:  420-425
    摘要： 单基模垂直腔表面发射激光器(VCSEL)在光网络数据传输、光互连、光存储和激光打印中有潜在的应用前景.光子晶体垂直腔表面发射激光器(PC-VCSEL)已成为备受关注的研究课题.介绍了PC-V...
  • 4. 单分散闪锌矿型CdSe量子点的合成及表征
    作者： 冯启彪 杨德仁 马向阳
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2006年9期
    页码:  426-429
    摘要： 采用TOPO辅助油相合成的化学方法制备出单分散的CdSe量子点.通过透射电子显微镜、X射线粉末衍射、粒径分布、紫外-可见吸收光谱和光致发光谱等多种测试手段对产物进行了表征,结果表明,CdSe...
  • 5. C60,M@C60电子传输特性研究
    作者： 付光俊 沈海军 陈裕
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2006年9期
    页码:  430-433,441
    摘要： 采用扩展的Hückel方法与格林函数方法,分析了双Au电极作用下,C60,M@C60(M=Si,Ge)富勒烯分子的电子结构与导电性,并对三种富勒烯分子的电子结构与电子输运特性进行了对比.研究...
  • 6. 仿壁虎微纳米粘附阵列的工艺制作
    作者： 倪林 单建华 梅涛 王辉静 陈士荣
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2006年9期
    页码:  434-437
    摘要： 介绍了采用微纳米加工技术制作仿壁虎脚趾粘附阵列的工艺方法.用ICP设备制作具有微米孔阵列的硅模板,用聚合物浇注,脱模后得到直径分别为2μm和5μm的微米阵列;浇注具有纳米孔径的氧化铝模板,脱...
  • 7. 硅压力传感器芯片设计分析与优化设计
    作者： 丁建宁 杨继昌 王权 薛伟 赵艳平
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2006年9期
    页码:  438-441
    摘要： 用弹性力学和板壳力学理论分析了半导体硅压阻式压力传感器方形膜片的受力分布,为力敏电阻在应变膜上的布置提供依据;利用有限元分析方法和借助ANSYS仿真软件,对微型硅压阻式高温压力传感器应变膜进...
  • 8. ULSI多层铜布线CMP影响因素分析研究
    作者： 刘博 刘玉岭 刘长宇 孙鸣 贾英茜
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2006年9期
    页码:  442-446
    摘要： 研究了ULSI多层互连工艺中铜布线的CMP的机理;对影响抛光速率和抛光后表面状态的诸因素,如抛光条件、抛光方式和抛光耗材进行了分析;特别针对抛光液对铜布线CMP的影响,提出了目前存在的主要问...
  • 9. 等离子淋浴在离子注入工艺中的应用
    作者： 刘仁杰 彭立波 易文杰
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2006年9期
    页码:  447-450
    摘要： 阐述了等离子淋浴技术的工作原理和特点.介绍了在离子注入工艺中采用等离子淋浴来中和晶片表面的电荷积累,可将晶片表面的电荷积累电压控制在安全范围;应用等离子淋浴实现低能离子束的电中性传输,可提高...

微纳电子技术基本信息

刊名 微纳电子技术 主编 李和委
曾用名 半导体情报(1964-2001)
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1671-4776 CN 13-1314/TN
邮编 050002 电子邮箱 wndz@vip.sina.com
电话 0311-87091487 网址 www.wndz.org
地址 石家庄市179信箱46分箱

微纳电子技术评价信息

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期刊荣誉
1. 俄罗斯《AJ》收录
2. 美国《剑桥科学文摘》收录
3. 英国《SA》,INSPEC数据库收录

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