ULSI多层铜布线CMP影响因素分析研究

• 作者: 刘博 刘玉岭 刘长宇 孙鸣 贾英茜
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 甚大规模集成 化学机械抛光 铜布线 抛光液
• 年，卷（期）: 2006,（9）
• 所属期刊栏目: 显微、测量、微细加工技术与设备
• 页码范围: 442-446
• 页数: 5页
• 分类号: TN405.97|TN305.2
• 字数: 4351字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2006.09.008

摘要

研究了ULSI多层互连工艺中铜布线的CMP的机理;对影响抛光速率和抛光后表面状态的诸因素,如抛光条件、抛光方式和抛光耗材进行了分析;特别针对抛光液对铜布线CMP的影响,提出了目前存在的主要问题,并对未来的研究方向和研究内容进行了展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学微电子研究所	263	1540	17.0	22.0
2	贾英茜	河北工业大学微电子研究所	13	100	6.0	9.0
3	孙鸣	河北工业大学微电子研究所	18	95	6.0	9.0
4	刘长宇	河北工业大学微电子研究所	5	46	4.0	5.0
5	刘博	河北工业大学微电子研究所	6	59	4.0	6.0