ULSI多层布线中SiO2介质CMP技术

• 作者: 刘玉岭 檀柏梅
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械抛光 全局平面化 多层布线 ULSI 二氧化碳
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 页码范围: 101-106
• 页数: 6页
• 分类号: TN305
• 字数: 4658字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2001.02.001

摘要

对甚大规模集成电路(ULSI)多层布线中二氧化硅介质的抛光机理、工艺条件选择、抛光液成分与作用等进行了综合分析，如何使用化学方法提高抛光速率、改善表面状况以及解决金属离子沾污等问题及发展趋势进行了综述，对现存的一些难题提出了改进方案。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	檀柏梅	河北工业大学微电子研究所	85	534	13.0	18.0
2	刘玉岭	河北工业大学微电子研究所	263	1540	17.0	22.0