热处理对埋入SiO2介质中的微晶Ge特性的影响

• 作者: 甘润今
• 来源期刊: 北京机械工业学院学报(综合版)
• 学科: 工学
• 关键词: 复合薄膜 锗纳米晶 光致发光 电导
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 页码范围: 10-13,22
• 分类号: TN304.055
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-6864.2000.03.003

摘要

采用射频共溅射方法将微晶锗纳米颗粒埋入SiO2介质中,然后在不同温度的氮气氛中进行热处理.用拉曼光谱、变温电导特性测试等实验分析手段进行特性研究.结果表明,埋入SiO2介质中的微晶锗的平均尺寸随热处理的条件变化而变化,复合薄膜的光致发光的强度和电导率与微晶锗的平均尺寸有关.当微晶锗的平均尺寸约3 nm时,复合薄膜的电导率最大,光致发光的强度在2.175 ev和2.246 ev峰位处得到加强.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	甘润今	北京机械工业学院基础部	10	18	2.0	4.0