铜布线化学机械抛光技术分析

• 作者: 康仁科 李秀娟 苏建修 郭东明 金洙吉
• 来源期刊: 中国机械工程
• 关键词: 甚大规模集成电路 化学机械抛光 化学机理 抛光液
• 年，卷（期）: 2005,（10）
• 所属期刊栏目: 科学基金
• 页码范围: 896-901
• 页数: 6页
• 分类号: TN405
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1004-132X.2005.10.013

摘要

对用于甚大规模集成电路(ULSI)制造的关键平坦化工艺--铜化学机械抛光(CMP)技术进行了讨论.着重分析了铜化学机械抛光的抛光过程和相关的影响因素;根据现有的研究成果主要介绍了铜化学机械抛光的化学材料去除机理;在分析抛光液组成成分的基础上,总结了现有的以H2O2为氧化剂的抛光液和其他酸性、碱性抛光液以及抛光液中腐蚀抑制剂的研究情况;指出了铜化学机械抛光今后的研究重点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	康仁科		165	2562	24.0	44.0
2	郭东明		273	4547	35.0	54.0
3	金洙吉		105	1334	18.0	32.0
4	苏建修		13	523	10.0	13.0
5	李秀娟		12	204	8.0	12.0