铜化学机械抛光材料去除机理研究

• 作者: 宁欣 康仁科 杜家熙 苏建修 陈锡渠 高虹
• 来源期刊: 金刚石与磨料磨具工程
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械抛光 硅片 材料去除机理
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 页码范围: 5-9
• 页数: 5页
• 分类号: TG58
• 字数: 4054字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-852X.2010.01.002

摘要

本文根据铜CMP过程中表面材料的磨损行为,建立了铜CMP时的材料去除率构成成分模型,并通过材料去除率实验,得出了各机械、化学及其交互作用所引起的材料去除率及其作用率:当np=nw=200 r/min时,有最佳材料去除率,此时单纯的机械作用率为9.2%;单纯的化学作用率为仅为2.1%,抛光垫的机械与化学交互作用率为5.08%;磨粒的机械与化学交互作用率为83.6%. 通过对实验结果进行分析,可得如下结论:硅片化学机械抛光中,一定的参数下有一个最优的抛光速度;在最优的速度下,机械与化学之间交互作用达到平衡,这时可获得最高的材料去除率;硅片化学机械抛光过程是一个多变的动态过程,仅仅通过增加机械作用或化学作用不能获得理想的材料去除效果.本文的研究结果可为进一步研究硅片CMP时的材料去除机理提供理论参考依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	康仁科	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	165	2562	24.0	44.0
2	陈锡渠		40	108	6.0	9.0
3	杜家熙		31	156	8.0	12.0
4	苏建修		43	283	9.0	15.0
5	宁欣		61	136	6.0	9.0
6	高虹		7	33	3.0	5.0