互连芯片化学机械抛光材料去除的仿真分析

• 作者: 任志英 林有希 蔡攀攀 陈德雄
• 来源期刊: 福州大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 铜互连 接触去除 化学机械抛光 有限元仿真
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 页码范围: 692-698
• 页数: 7页
• 分类号: TH161.14|TH142
• 字数: 4097字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7631/issn.1000-2243.2017.05.0692

摘要

针对互连芯片化学机械抛光去除机理的认知不足,假设金属材料弹塑性变形连续,对单磨粒划擦互连芯片的材料去除进行了数值表征.通过芯片应力分布和工艺参数对材料去除率分析发现:平均法向力大于平均切向力;滑动摩擦系数、材料去除率随抛光速度增加而增加;当抛光速度为10～12mm· s-1时,粒径为30 nm的磨粒材料去除率最大;当工作载荷为6μN,抛光速度为6～ 10 mm·s-1时,粒径为30 nm的磨粒材料去除率略低,粒径为60 nm的磨粒的材料去除率最大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林有希	福州大学机械工程及自动化学院	138	811	14.0	21.0
2	任志英	福州大学机械工程及自动化学院	52	106	6.0	8.0
3	蔡攀攀	福州大学机械工程及自动化学院	2	1	1.0	1.0
4	陈德雄	福州大学机械工程及自动化学院	4	13	2.0	3.0