提拉法制备铜单晶基片的化学机械抛光研究

• 作者: 严清峰 娄有信 张怀金 戴媛静 李强 王继扬 马朝晖
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 单晶铜 化学机械抛光 表面粗糙度
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 页码范围: 1418-1422,1428
• 分类号: TG356.28
• 字数: 2767字
• 语种: 中文

摘要

采用提拉法成功制备出高纯铜(Cu)单晶,最大尺寸为φ15 mm×60 mm.采用化学机械抛光(CMP)方法对Cu单晶基片进行抛光,借助光学显微镜、表面轮廓仪和扫描探针显微镜分析了基片表面形貌、表面粗糙度与表面均匀性,并探讨了抛光压力、表面活性剂和抛光垫对基片表面抛光的影响,结果表明:采用CMP加工后的铜单晶基片表面无宏观划痕、加工均匀性好,基片表面粗糙度Ra为0.921 nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王继扬	山东大学晶体材料国家重点实验室	200	1444	21.0	30.0
2	李强	清华大学化学系	310	5294	38.0	67.0
3	张怀金	山东大学晶体材料国家重点实验室	83	477	12.0	17.0
4	戴媛静	清华大学摩擦学国家重点实验室	15	39	4.0	6.0
5	严清峰	清华大学化学系	3	13	3.0	3.0
6	娄有信	山东大学晶体材料国家重点实验室	2	6	2.0	2.0
7	马朝晖	辽宁大学物理学院	1	4	1.0	1.0