单晶SiC基片的化学机械抛光技术研究进展

• 作者: 张棋翔 潘继生 邓家云 郭晓辉 阎秋生
• 来源期刊: 金刚石与磨料磨具工程
• 学科: 工学
• 关键词: 单晶SiC 化学机械抛光 材料特性 去除机理
• 年，卷（期）: 2020,（1）
• 页码范围: 79-91
• 页数: 13页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 9666字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13394/j.cnki.jgszz.2020.1.0013

摘要

单晶SiC因其优异的物理化学性质而成为重要的外延衬底材料,广泛应用于卫星通信、集成电路和消费电子等领域.衬底外延生长需要单晶SiC具有较低的加工表面损伤和残余应力的超光滑平坦表面,其表面质量决定了后续的外延层质量并最终影响器件的性能.化学机械抛光(CMP)是目前实现单晶SiC基片超精密加工的一种常用且有效方法.我们综述了单晶SiC基片化学机械抛光加工的研究现状,根据加工原理进行归类并分析了各种类别的优缺点及运用局限,指出了其在化学机械抛光领域的发展前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	阎秋生	广东工业大学机电工程学院	146	787	13.0	20.0
2	潘继生	广东工业大学机电工程学院	34	203	8.0	12.0
3	邓家云	广东工业大学机电工程学院	3	12	1.0	3.0
4	张棋翔	广东工业大学机电工程学院	2	12	1.0	2.0
5	郭晓辉	广东工业大学机电工程学院	1	0	0.0	0.0