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摘要:
化学机械抛光技术几乎是迄今唯一可以提供全局平面化的表面精加工技术,可广泛用于集成电路芯片、计算机硬磁盘、微型机械系统(MEMS)、光学玻璃等表面的平整化.本文综述了CMP的技术原理和CMP设备及消耗品的研究现状,指出了CMP急待解决的技术和理论问题,并对其发展方向进行了展望.
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文献信息
篇名 化学机械抛光技术研究现状与展望
来源期刊 山东建筑大学学报 学科 工学
关键词 化学机械抛光 平整化 表面微加工 无颗粒抛光
年,卷(期) 2009,(2) 所属期刊栏目 综合述评
研究方向 页码范围 168-174
页数 7页 分类号 TH117
字数 6503字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1673-7644.2009.02.018
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 史宝军 山东建筑大学机电工程学院 36 232 10.0 13.0
2 杨廷毅 山东建筑大学机电工程学院 5 55 3.0 5.0
3 张健 山东建筑大学机电工程学院 6 31 2.0 5.0
4 杜运东 山东建筑大学机电工程学院 3 39 3.0 3.0
传播情况
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引文网络
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二级参考文献  (198)
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研究主题发展历程
节点文献
化学机械抛光
平整化
表面微加工
无颗粒抛光
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
山东建筑大学学报
双月刊
1673-7644
37-1449/TU
大16开
山东省济南市临港开发区凤鸣路
1986
chi
出版文献量(篇)
2419
总下载数(次)
5
总被引数(次)
17428
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