抛光液中磨料和化学成分对单晶MgO基片化学机械抛光的影响

• 作者: 康仁科 王军 王科
• 来源期刊: 金刚石与磨料磨具工程
• 学科: 工学
• 关键词: 单晶MgO基片 化学机械抛光 材料去除率
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 页码范围: 19-23
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2|TG74
• 字数: 3693字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-852X.2009.06.005

摘要

采用扫描电子显微镜和高分辨粒径分析仪对不同抛光液中磨料形貌、平均粒径大小和粒径分布范围进行观测分析,研究了SiO2磨料特性及各种无机酸对单晶MgO基片抛光材料去除率和表面粗糙度的影响.试验结果表明,使用粒径分布较窄的球形磨料和磷酸反应剂配制成抛光液,可以得到较高的材料去除率和较低的基片表面粗糙度.通过对抛光参数的进一步优化,采用抛光压力42 kPa,抛光转数100 r/min和抛光液流量30 mL/min,对单晶MgO基片进行化学机械抛光加工,单晶MgO基片抛光材料去除率可达到400 nm/min,抛光后的基片表面粗糙度Ra降低至0.4 nm.该抛光工艺已具有一定的实用价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	康仁科	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	165	2562	24.0	44.0
2	王科	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	23	178	8.0	12.0