碲锌镉晶体化学机械抛光液的研究

• 作者: 孙士文 敖孟寒 朱丽慧
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械抛光 CZT晶体 粗糙度 平整度
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 22-26
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 3359字
• 语种: 中文

摘要

本文以硅溶胶为磨料颗粒、次氯酸钠(NaClO)为氧化剂制备适用于CZT晶片的化学机械抛光液.采用XPS能谱分析CZT表面元素化学态,研究CZT化学机械抛光过程中抛光液的化学作用机理,使用激光干涉仪、原子力显微镜研究抛光液中NaClO含量对晶片抛光速率、晶片表面PV值及表面粗糙度Ra的影响.结果表明,硅溶胶-次氯酸钠抛光液通过与CZT晶体中Te单质或CdTe发生化学反应,生成TeO2.随后在一定压力下,抛光盘与CZT晶片发生相对运动,并在硅溶胶磨料颗粒的辅助作用下去除反应物.当NaClO含量在2％～10％时,随着NaClO含量的增加,晶片表面PV值和粗糙度Ra值先降低后升高,去除速率则随着NaClO含量的增加而增加.NaClO含量为6％时,PV值和Ra值最低,得到的晶片表面质量最好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱丽慧	上海大学材料科学与工程学院	92	879	18.0	25.0
2	孙士文	中国科学院红外成像材料与器件重点实验室	16	28	3.0	4.0
3	敖孟寒	上海大学材料科学与工程学院	2	2	1.0	1.0