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摘要:
在超大规模集成电路(ULSI)铜布线工艺中,采用阻挡层来提高铜与衬底的粘附性,主要是为了防止铜原子向介质或衬底中扩散.为了达到全局平面化,就需要克服阻挡层金属与布线金属铜因化学和物理性质的不同而导致其化学机械抛光(CMP)速率的不同.通过研究和一系列试验,采用两步抛光,初抛中采用高化学作用,终抛中采用高机械作用,达到较好的全局平面化效果,并提出了初抛的CMP模型.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 ULSI制备中铜布线的两步抛光技术
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 阻挡层 两步抛光 ULSI 多层布线
年,卷(期) 2003,(4) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 433-437
页数 5页 分类号 TN405.97
字数 3625字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.04.020
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘玉岭 河北工业大学微电子研究所 263 1540 17.0 22.0
2 魏碧华 5 14 2.0 3.0
3 王弘英 3 17 3.0 3.0
4 郝景晨 1 8 1.0 1.0
传播情况
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引文网络
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研究主题发展历程
节点文献
阻挡层
两步抛光
ULSI
多层布线
研究起点
研究来源
研究分支
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引文网络交叉学科
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半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
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