MCM-D多层金属布线互连退化模式和机理

• 作者: 何小琦 徐爱斌 章晓文
• 来源期刊: 电子产品可靠性与环境试验
• 关键词: 多芯片组件 多层多属布线 通孔 退化
• 年，卷（期）: 2002,（5）
• 所属期刊栏目: 可靠性物理与失效分析技术
• 页码范围: 6-10
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.94
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-5468.2002.05.002

摘要

介绍了MCM-D多层金属互连结构的工艺及材料特点,并就Cu薄膜布线导体的结构特点和元素扩散特性,说明了多层布线互连退化的模式和机理,以及防止互连退化的技术措施.实验分析表明,Au/Ni/Cu薄膜布线结构的互连退化原因是,Cu元素沿导带缺陷向表层扩散后,被氧化腐蚀,导致互连电阻增大,而Cu元素在温度应力作用下向PI扩散,导致PI绝缘电阻下降.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何小琦		26	170	9.0	11.0
2	章晓文		16	78	5.0	7.0
3	徐爱斌		9	40	4.0	6.0