MCM-C中厚膜电阻的寿命分布及退化规律的研究

• 作者: 周仲蓉 张增照 李志国 程尧海 莫郁薇 邹琼 郭春生
• 来源期刊: 电子产品可靠性与环境试验
• 关键词: 多芯片组件 厚膜电阻 寿命分布
• 年，卷（期）: 2003,（5）
• 所属期刊栏目: 电子元器件与可靠性
• 页码范围: 15-19
• 页数: 5页
• 分类号: TM215.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-5468.2003.05.004

摘要

重点研究了MCM-C基板的可靠性,包括厚膜电阻、基板布线以及互连通孔.试验采取加温度应力与电应力的双应力加速寿命试验.试验中发现,厚膜电阻的退化先于基本布线和互连通孔,故厚膜电阻的退化在MCM-C基板可靠性中起主要的作用;重点讨论了厚膜电阻在热电应力下的失效规律及寿命分布,试验结果表明厚膜电阻的寿命分布服从威布尔分布.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李志国	北京工业大学电子信息与控制工程学院	57	418	12.0	18.0
2	郭春生	北京工业大学电子信息与控制工程学院	44	302	10.0	15.0
3	莫郁薇		7	30	4.0	4.0
4	程尧海	北京工业大学电子信息与控制工程学院	17	154	6.0	12.0
5	张增照		11	56	5.0	6.0
6	周仲蓉	北京工业大学电子信息与控制工程学院	2	4	1.0	2.0
7	邹琼		1	4	1.0	1.0