MCM-D技术电热特性综述

• 作者: 杨建生
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 凸点压焊 电试验结构 MCM-D 多芯片组件 热分析
• 年，卷（期）: 2005,（7）
• 所属期刊栏目: 封装与组装
• 页码范围: 17-22
• 页数: 6页
• 分类号: TN305.94
• 字数: 3826字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2005.07.005

摘要

本文主要说明了淀积型多芯片组件(MCM-D)技术所使用的主要材料的热特性.此技术采用倒装片技术把硅芯片安装到硅基板上.阐述了薄膜电阻和接触电阻的测量与所使用金属的温度范围-28℃～100℃的比较.一套典型的试验结构诸如开尔文接触、横桥电阻(CBR)及Van der Pauw结构不仅已用于此技术,而且为了测试通过球倒装片连接的接触电阻,采用一新的开尔文式结构.已获得MCM封装的热模型,并考虑由此类封装增加的所有的热电阻.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨建生		65	67	4.0	5.0