微纳电子技术期刊
出版文献量(篇)
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微纳电子技术

Micronanoelectronic Technology
曾用名: 半导体情报(1964-2001)

AJSACSTPCD

影响因子 0.4364
《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。 创刊4年以来,汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体,通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向,为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
俄罗斯《AJ》收录  美国《剑桥科学文摘》收录  英国《SA》,INSPEC数据库收录 
ISSN:
1671-4776
CN:
13-1314/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄市179信箱46分箱
出版文献量(篇)
3266
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  • 作者: 袁明文
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年5期
    页码:  257-262
    摘要: 介绍了用于加工太赫兹渡元件的微机械加工技术(铣削、放电加工、电铸、湿法腐蚀Si、干法腐蚀Si、厚光刻胶:SU-8和LIGA)及其最新结果.重点描述了应用于太赫兹波的器件和集成电路,如将可用于...
  • 作者: 郭维廉
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年5期
    页码:  263-269,291
    摘要: 单向运动灾流子光二极管(UTC-PD)具有高速和大电流的特点,与RTD相结合可构成一高速光控MOBILE,能够应用于80 Gb/s的光纤通信、光信息处理和高速光网络中.在详细介绍UTC-PD...
  • 作者: 家秀云 张世祖 徐会武 杨红伟 沈牧 花吉珍 陈宏泰 陈玉娟
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年5期
    页码:  270-273
    摘要: 采用腔面电流非注入技术,提高了808 nm半导体激光器灾变性光学损伤(COD)阈值.通过腐蚀GaAs高掺杂层的方法,在半导体激光器腔面附近形成电流非注入区,以此来减少腔面处的载流子注入.载流...
  • 作者: 刘启佳 刘斌 吴真龙 徐峰 徐洲 谢自力 邵勇 陈鹏
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年5期
    页码:  274-278,300
    摘要: 利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法在C面蓝宝石衬底上制备了全组分InGaN薄膜,通过改变生长温度和In/Ga比例成功调控了InGaN合金组分和带隙宽度.利用不同的物理表征手段系统研...
  • 作者: 古公兵 周祚万 赵岸
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年5期
    页码:  279-284
    摘要: 综述了聚苯胺低维纳米结构在制备方法、形成机理以及功能特性等方面的研究现状.重点阐述了聚苯胺纳米管、纳米纤维的制备方法,包括模板法、界面法、自组装法、电化学法等,同时简要介绍了聚苯胺纳米管、纳...
  • 作者: 周祥 宋经纬 谌家军 马锡英
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年5期
    页码:  285-291
    摘要: Si纳米线是一种非常重要的一维半导体纳米材料,在纳米器件方面有很好的应用前景.综述了Si纳米线的一些重要制备方法:激光烧蚀法、模板法、化学气相生长法、热蒸发法,简要介绍了各种制备方法过程并分...
  • 作者: 李强 杨瑞霞 潘国峰 王如 魏伟
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年5期
    页码:  292-295
    摘要: 用双射频共溅射和溅射后退火的方法在单晶Si(111)衬底上制备了SiC薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)及原子力显微镜(AFM)分析了样品的物相组成、形貌和结构.研究发现,...
  • 作者: 任豪 姚军 王大甲 马文英
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年5期
    页码:  296-300
    摘要: 给出了一种静电驱动二维微扫描镜的设计和制造方案,所设计的扫描镜具有绕X轴和y轴转动的两个自由度,并具有体积小、功耗低、频率高等优点.推导了镜面旋转角表达式并分析了吸合效应.利用POLYMUM...
  • 作者: 刘玉贵 杨拥军 王维军 罗四维 罗蓉
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年5期
    页码:  301-304
    摘要: 提出一种基于薄层SOI材料的NEMS(nano-eleetro-mechanical-system)结构制备技术.通过大量实验研究,突破了电子束光刻、ICP刻蚀、CO2超临界干燥释放等工艺技...
  • 作者: 于肇贤 宋会英 杨瑞 赵真玉
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年5期
    页码:  305-310
    摘要: 研究了基于图形几何尺寸修正的电子束光刻的内部邻近效应校正技术,利用累积分布函数预先进行内部最大矩形和顶点矩形的快速计算,并把它们存储在矩阵中.在校正过程中,根据初始矩形的尺寸,通过访问矩阵实...
  • 作者: 杨中月
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年5期
    页码:  311-313,318
    摘要: 描述了一种采用化学方法的分辨率增强技术制作深亚微米T型栅的技术.该技术采用DUV投影光刻机和化学放大正性光刻胶(CAR)以及分辨率增强技术,在完成源漏制作等工艺的严重不平坦的GaAs衬底上,...
  • 作者: 吕英杰 张小兴 戴宇杰 樊磊
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年5期
    页码:  314-318
    摘要: 电流控制模式的开关电源变换器在占空比D>0.5时,存在次谐波振荡问题,因此必须进行斜坡补偿.在分析了峰值电流模式的DC/DC转换器中斜坡补偿原理的基础上,介绍了一种用于斜坡补偿的振荡电路,该...
  • 作者:
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年5期
    页码:  319
    摘要:
  • 作者:
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年5期
    页码:  320
    摘要:

微纳电子技术基本信息

刊名 微纳电子技术 主编 李和委
曾用名 半导体情报(1964-2001)
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1671-4776 CN 13-1314/TN
邮编 050002 电子邮箱 wndz@vip.sina.com
电话 0311-87091487 网址 www.wndz.org
地址 石家庄市179信箱46分箱

微纳电子技术评价信息

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2. 美国《剑桥科学文摘》收录
3. 英国《SA》,INSPEC数据库收录

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