DUV投影光刻制作T型栅

• 作者: 杨中月
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: T型栅 深紫外 化学放大胶 分辨率增强技术 砷化镓 赝配高电子迁移率晶体管 单片微波集成电路
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 显微、测量、微细加工技术与设备
• 页码范围: 311-313,318
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.7|TN386.3
• 字数: 1411字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2009.05.011

摘要

描述了一种采用化学方法的分辨率增强技术制作深亚微米T型栅的技术.该技术采用DUV投影光刻机和化学放大正性光刻胶(CAR)以及分辨率增强技术,在完成源漏制作等工艺的严重不平坦的GaAs衬底上,采用0.25 μm设计的光刻版制作出0.18μmT型栅,突破了采用常规光学光刻时栅长的制作限制.介绍了GaAs器件在栅光刻时遇到的困难,描述了工艺制作过程,并讨论了该工艺技术中每步工艺的思路和采用的工艺原理.通过在6～18 GHz GaAsPHEMT功率放大器制作中的应用,提高了器件性能及成品率,并给出了测试结果以及0.18μmT型栅的电镜图片.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨中月	中国电子科技集团公司第十三研究所	4	3	1.0	1.0