微纳电子技术期刊
出版文献量(篇)
3266
总下载数(次)
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16974

微纳电子技术

Micronanoelectronic Technology
曾用名: 半导体情报(1964-2001)

AJSACSTPCD

影响因子 0.4364
《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。 创刊4年以来,汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体,通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向,为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
俄罗斯《AJ》收录  美国《剑桥科学文摘》收录  英国《SA》,INSPEC数据库收录 
ISSN:
1671-4776
CN:
13-1314/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄市179信箱46分箱
出版文献量(篇)
3266
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16974
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  • 作者: 任敏 邓宁 陈培毅
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2011年11期
    页码:  685-688,701
    摘要: 提出一种改进的自旋转移矩器件的制备工艺:在电子束曝光形成纳米级图形之后,依次采用离子束刻蚀、带胶绝缘层淀积再正胶剥离的图形转移方法,成功制备了纳米柱状赝自旋阀结构磁性多层膜CoFe/Cu/C...
  • 作者: 季小明 张严波 杨富华 陈燕坤 韩伟华
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2011年11期
    页码:  689-696
    摘要: 介绍了在进入22 nm技术节点后MOSFET器件的两个发展方向,即多栅结构和应变硅纳米线结构.首先通过分析特征长度与有效栅极数量的关系,表明多栅结构器件可以有效增强栅极对沟道的控制,抑制短沟...
  • 作者: 潘宏菽 田爱华
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2011年11期
    页码:  697-701
    摘要: 采用自主开发的工艺加工技术和设计方法,直接将两个微波SiC MESFET管芯在管壳内部进行并联,实现了器件在S波段脉冲状态下(工作频率2 GHz,脉冲宽度30 μs,占空比10%)输出功率大...
  • 作者: 刘新宇 叶甜春 岳会会 李昊峰 窦丙飞 贾锐 陈宝钦 陈晨
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2011年11期
    页码:  702-709,724
    摘要: 介绍了用于高效太阳电池的几种硅基微纳结构的最新研究进展,重点介绍了几种硅基微纳结构的制备方法,如阳极腐蚀制备多孔硅、各向异性制绒以及气液固(VLS)生长纳米线等,并对各种方法的特点作了分析比...
  • 作者: 朱光 赵卿飞
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2011年11期
    页码:  710-713
    摘要: 介绍了利用简单有效的电泳沉积工艺制备新型碳纳米管薄膜材料,并应用于染料敏化太阳电池.通过场发射扫描电子显微镜(FESEM)和透射电子显微镜(TEM)等表征手段发现,制备的新型碳纳米管薄膜材料...
  • 作者: 凌源 杜亦佳 赵兴海 邓成 郑英彬 鲍景富
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2011年11期
    页码:  714-719,732
    摘要: 针对RF MEMS开关释放时间过长的问题,提出了在开关梁上设计一个上悬梁的方法,以增大开关梁所受压膜阻尼,抑制开关梁在平衡位置附近的振动,从而缩短RF MEMS开关的释放时间.给出了这种方法...
  • 作者: 张燕娇 苏继龙
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2011年11期
    页码:  720-724
    摘要: 在微机电系统(MEMS)中,影响多晶体微梁构件疲劳损伤的因素很多,如载荷方式、晶粒尺寸及其内部空间滑移系等.重点是从多晶铜微梁构件的微观结构入手,分析引起微构件疲劳损伤的内在应力机制.首先由...
  • 作者: 吴嘉丽 王超 陈光焱
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2011年11期
    页码:  725-732
    摘要: 低g值微惯性开关是一种感受惯性加速度、执行开关机械动作的精密惯性装置,其设计目的包括减小体积、提高抗振性和产品间闭合阈值一致性等综合性能.针对一种基于平面矩形螺旋梁的低g值微惯性开关,在给定...
  • 作者: 吴元伟 王守国 赵玲利 韩传余
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2011年11期
    页码:  733-738
    摘要: 介绍了三类常见的低k介质材料,并对空气隙(k=1)的发展进行了探讨;讨论了引起等离子体损伤的机理和传统的O2等离子体去胶工艺面临的困难;最后综述了近年来国际上提出的低损伤等离子体去胶工艺的研...
  • 作者: 余涛 吴雪梅 柏洋 诸葛兰剑 赵岩 金成刚
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2011年11期
    页码:  739-743
    摘要: 首先介绍了螺旋波的定义、螺旋波等离子体源产生等离子体所需条件的工作范围以及螺旋波等离子体源主要的一些应用.按照所加磁场范围的不同(分为在磁感应强度为100~1 600 Gs和在强磁场中两部分...
  • 作者: 孙鸣 杨立兵 王娜 王胜利 王辰伟 邢哲
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2011年11期
    页码:  744-748
    摘要: 主要对分立器件硅衬底化学机械平坦化(CMP)进行了研究.首先通过正交实验方法研究活性剂、螯合剂、磨料浓度和有机碱对硅材料去除速率的影响,得出活性剂体积分数对去除速率的影响最大,并且研究出去除...
  • 作者:
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2011年11期
    页码:  748
    摘要:
  • 作者: 刘利宾 刘玉岭 孙鸣 杨立兵 王娜 高净
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2011年11期
    页码:  749-752
    摘要: 硅单晶抛光片是极大规模集成电路应用最广泛的衬底材料,抛光液为影响硅单晶片抛光最关键的因素.通过改变抛光液中有机胺碱配比来调节抛光液的pH值.实验结果表明:随着有机胺碱比例的不断增加,pH值随...

微纳电子技术基本信息

刊名 微纳电子技术 主编 李和委
曾用名 半导体情报(1964-2001)
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1671-4776 CN 13-1314/TN
邮编 050002 电子邮箱 wndz@vip.sina.com
电话 0311-87091487 网址 www.wndz.org
地址 石家庄市179信箱46分箱

微纳电子技术评价信息

期刊荣誉
1. 俄罗斯《AJ》收录
2. 美国《剑桥科学文摘》收录
3. 英国《SA》,INSPEC数据库收录

微纳电子技术统计分析

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