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微纳电子技术期刊
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微纳电子技术

Micronanoelectronic Technology
曾用名： 半导体情报(1964-2001)

AJSACSTPCD

影响因子 0.4364
《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。 创刊4年以来，汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体，通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向，为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成... 更多
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
俄罗斯《AJ》收录  美国《剑桥科学文摘》收录  英国《SA》,INSPEC数据库收录 
ISSN：
1671-4776
CN：
13-1314/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
石家庄市179信箱46分箱
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  • 121. TSV阻挡层碱性抛光液对Ti/Cu去除速率的影响
    作者： 刘玉岭 杨琰 王胜利 王辰伟 马锁辉
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2013年10期
    页码:  667-670
    摘要： 在硅通孔(through silicon via,TSV)的铜互连技术中,对于阻挡层的抛光,Ti和Cu去除速率非常重要.实验中采用的阻挡层材料为Ti,主要研究了pH值和氧化剂(H2O2)对T...
  • 122. PVT法生长ZnTe晶体的技术
    作者： 史月增 徐永宽 李晖 程红娟 郝建民
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2013年10期
    页码:  671-674
    摘要： 采用无籽晶物理气相传输(PVT)方法生长出ZnTe晶体.实验开始,温差较大,压强相对较低,造成晶体生长速率过快,从而以各成核点为中心进行岛状生长,形成了结构密集的ZnTe多晶结构.实验过程中...
  • 123. 信息动态
    作者：
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2013年10期
    页码:  675-676
    摘要：
  • 124. 切趾体光栅在高功率光束下的衍射特性分析
    作者： 汪岳峰 王军阵 白慧君
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2013年11期
    页码:  677-682
    摘要： 基于波动方程,采用光束传输法,研究了sinc切趾体布拉格光栅的衍射特性,并验证了该方法的有效性.分析了因温度升高引起的背景折射率的变化对sinc切趾体布拉格光栅衍射效率的影响,分析了由高功率...
  • 125. SNSPD的物理模型与研究进展
    作者： 刘建设 尹合钰 徐正 成日盛 李铁夫 蒋振南 蔡涵 陈炜
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2013年11期
    页码:  683-694
    摘要： 基于超导原理的超导纳米线单光子探测器(superconducting nanowire single photon detector,SNSPD)以其在高量子效率、高计数率、低暗计数和低时间...
  • 126. 1000 V 4H-SiC JBS功率二极管元胞
    作者： 于坤山 吴昊 杨霏
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2013年11期
    页码:  695-700
    摘要： 主要介绍了4H-SiC结势垒肖特基(JBS)功率二极管元胞的设计、仿真和制造,得到了JBS器件有源区相间的p+型岛的宽度和间距等关键参数与器件电学特性的关系,比较了JBS功率二极管与肖特基二...
  • 127. 用于铁电BaTiO3薄膜的Ta2O5隔离埋层
    作者： 张安邦 祁小四 邓朝勇
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2013年11期
    页码:  701-704,709
    摘要： BaTiO3薄膜的铁电性通常会受到界面效应的影响而衰减.提出了使用Ta2O5作为隔离层能够有效抑制界面效应.利用脉冲激光沉积技术,在(100)晶向的SrTiO3衬底上成功制备了BaTiO3/...
  • 128. SnO2纳米结构的制备及发光特性
    作者： 刘永峰 方香 李玉国 王宇
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2013年11期
    页码:  705-709
    摘要： 以Sn为源,在恒温1 000℃条件下,利用碳热蒸发方式,选取不同的退火时间,在溅射Au膜的Si衬底上生长出不同形貌的SnO2纳米结构.采用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、X射线衍射(...
  • 129. 被动式微流控混合器的研究进展
    作者： 李铁川 陈雪叶
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2013年11期
    页码:  710-714,720
    摘要： 微流控混合器是微流控芯片的重要组成部分,是完成微量样品快速混合的一个功能部件.综述了国内外微流控混合器的最新研究进展,论述了微流控混合器的混合机理、设计方法、制作工艺、材料选择及应用等.微流...
  • 130. 微型振动能量收集器的研究现状及发展趋势
    作者： 刘成龙 孟爱华 陈文艺
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2013年11期
    页码:  715-720
    摘要： 综述了最近几年国内外微型振动能量收集器的研究状况,重点介绍了被广泛应用的压电式振动能量收集器和电磁式振动能量收集器,简要阐明微型振动能量收集器实现大规模商业化产品的可能性.根据微型振动能量收...
  • 131. 紫外纳米压印OLED衬底微结构的模板制备
    作者： 徐维 朱铭佳 李阳 梁景生 潘雅雯 王忆 陈奎
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2013年11期
    页码:  721-725,734
    摘要： 采用紫外纳米压印工艺,在有机发光二极管(OLED)衬底上制备三维立体微结构,可以有效提高器件的出光效率,增加器件发光亮度.而有效实施纳米压印工艺的先决条件是纳米压印模板的制备.首先在沉积有金...
  • 132. 磷酸作为pH调节剂在阻挡层抛光过程中的应用
    作者： 刘玉岭 曹阳 王辰伟 蔡婷 陈蕊 高娇娇
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2013年11期
    页码:  726-730
    摘要： 通过大量实验,研究了一种Ta高去除速率下的高选择性阻挡层抛光液,实现对碟形坑的有效修正以及表面粗糙度的有效降低.采用磷酸作为pH调节剂,改变pH值考察Ta和Cu选择性的变化规律,进而选取Ta...
  • 133. 硼掺杂浓度对金刚石薄膜电极的影响
    作者： 檀柏梅 甄加丽 赵云鹤 郭倩 高宝红
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2013年11期
    页码:  731-734
    摘要： 金刚石由于其独特的物理和化学性质,使其成为电极材料的首选.通过热丝化学气相沉积(HFCVD)技术,在钽片上制备了p型掺硼金刚石(BDD)薄膜电极.通过掺入硼元素在金刚石带隙间引入杂质能级,改...
  • 134. TSV Cu CMP碱性抛光液及工艺
    作者： 刘玉岭 牛新环 王辰伟 蔡婷 陈蕊 高娇娇
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2013年11期
    页码:  735-738,742
    摘要： 穿透硅通孔(through silicon via,TSV)技术采用铜作为互连材料,晶圆表面沉积了一层厚厚的铜膜,对铜去除速率提出了新要求.从化学机械平坦化(CMP)过程的机理出发,对影响铜...
  • 135. 厚层硅外延用衬底的边缘处理
    作者： 张伟才 赵权 陈建跃 陶术鹤
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2013年11期
    页码:  739-742
    摘要： 在厚层硅外延生长过程中,由衬底硅片边缘引起的滑移线是典型的缺陷.研究了硅片的边缘损伤和倒角面幅宽度,研究中发现,适当增大倒角去除量,有助于消除由于单晶滚磨造成的边缘损伤,降低外延生长中滑移线...
  • 136. 信息动态
    作者：
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2013年11期
    页码:  743-744
    摘要：
  • 137. 基于概率模型的择多逻辑门背景电荷分析
    作者： 张明亮 王森 秦涛 蔡理 陈祥叶
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2013年12期
    页码:  745-750,757
    摘要： 建立了时不变双量子阱系统状态转换的概率模型,量化分析了背景电荷对量子元胞自动机(QCA)择多逻辑门的影响.仿真结果表明,决策元胞处于各态概率既受背景电荷位置的影响,还与择多逻辑门的输入密切相...
  • 138. 第四种基本电路元件忆阻器及其应用
    作者： 张永华 熊大元 王永亮 郑芳林
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2013年12期
    页码:  751-757
    摘要： 忆阻器是一种具有记忆特性的新型元器件,被认为是与电阻、电感和电容并肩的4个基本电路元件之一.给出了忆阻器性质的简化数学模型,借助数学模型的仿真结果,分析了忆阻器的记忆特性和开关功能.介绍了基...
  • 139. 水热合成Cu2S纳米结构的形貌控制与场发射特性
    作者： 宋长青 尹海宏 李守川
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2013年12期
    页码:  758-764
    摘要： 以二水氯化铜和硫脲为原料,聚乙烯吡咯烷酮为表面活性剂,不同体积比的酒精与去离子水为溶剂,通过水热法合成了硫化亚铜纳米球、纳米花与纳米棒三种形貌的晶体.通过X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子...
  • 140. 利用自组装Ni纳米点为掩膜制备GaN纳米柱阵列
    作者： 吴玉新 曹玉萍
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2013年12期
    页码:  765-769
    摘要： 采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)和电子束蒸发法在Si基GaN模板上先后淀积一层SiO2和Ni薄膜,接着在氮气中快速热退火(RTA)自组装生长Ni纳米点,最后以Ni纳米点为掩膜制备G...
  • 141. 微型抗磁悬浮振动能量采集器结构设计与分析
    作者： 苏六帅 苏宇锋
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2013年12期
    页码:  770-775,780
    摘要： 利用抗磁性材料在磁场中产生抗磁力,从而实现稳定的悬浮.提出了一种新型的抗磁悬浮振动能量采集器,通过提升永磁体与悬浮永磁体产生的磁吸力抵消悬浮永磁体的重力,两个热解石墨薄板与悬浮永磁体之间产生...
  • 142. 充油式高温高压温度压力复合传感器
    作者： 刘智辉 尹延召 李海博 田雷
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2013年12期
    页码:  776-780
    摘要： 将铂膜温度芯片和SOI压力芯片近距离装配在充油芯体内,进行真空充油后,温度和压力传感器芯片同时被硅油保护起来,再通过波纹膜膜片感受压力.由于温度芯片和压力芯片距离非常近,可以同时感受较小局部...
  • 143. 溅射功率对ZnO薄膜的影响
    作者： 任光远 杨瑞霞 杨甜甜 王如 王晓翠
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2013年12期
    页码:  781-784,788
    摘要： 采用射频磁控溅射在Si (100)衬底上制备不同溅射功率下的ZnO薄膜.利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、台阶仪和光致发光(PL)谱等表征技术研究了溅射功率对ZnO薄膜的表面形貌...
  • 144. 弱碱性多羟多胺抛光液稳定性
    作者： 刘玉岭 王辰伟 蔡婷 陈蕊 高娇娇
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2013年12期
    页码:  785-788
    摘要： 稳定性是评估抛光液性能的重要指标之一,其关系到抛光液的寿命及能否产业化.从多羟多胺络合剂的反应原理出发,先对强碱性和弱碱性络合剂组成的抛光液进行对比.考量铜去除速率和抛光液的pH值,由这两方...
  • 145. 电化学制备新型氧化液在铜CMP中的应用
    作者： 檀柏梅 甄加丽 赵云鹤 郭倩 高宝红
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2013年12期
    页码:  789-792,797
    摘要： 在铜化学机械抛光(CMP)中,双氧水易分解的不稳定性严重制约铜化学机械抛光速率.为了寻求一种稳定性好且氧化能力强的新型氧化液,采用电化学方法电解水基硫酸盐,得到了氧化性很强且稳定的过氧焦硫酸...
  • 146. GSI多层铜布线化学机械平坦化速率一致性
    作者： 刘玉岭 曹阳 王辰伟
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2013年12期
    页码:  793-797
    摘要： 采用自主研发的碱性铜布线抛光液,在300 mm化学机械平坦化平台上对铜镀膜去除速率一致性进行了实验研究,并对质量传递和速率一致性的关系进行了深入分析.研究结果表明,压力和流量变化对不同的抛光...
  • 147. 碱性条件下对铜-BTA的去除
    作者： 刘玉岭 孙铭斌 张宏远 杨昊鹍 洪姣 王辰伟
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2013年12期
    页码:  798-802
    摘要： 为有效去除铜片表面难溶的、具有复杂结构的铜-BTA,主要对铜片清洗过程中起关键作用的清洗液的组分和浓度进行了研究.采用自主研发的FA/O Ⅱ型螯合剂作为清洗液,反复进行了大量实验.结果表明,...
  • 148. 硅抛光片表面时间依赖性雾产生的原因分析
    作者： 刘云霞 刘卓 史训达 李俊峰 林霖 赵晶
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2013年12期
    页码:  803-806
    摘要： 阐述了硅片表面时间依赖性雾(TDH)的形成过程、颗粒分布、形态以及检测方法.时间依赖性雾产生的原因包括清洗后化学液体的残留、清洗后硅片的干燥程度、片盒的洁净度和干燥度、表面金属以及硅片存放的...
  • 149. 信息动态
    作者：
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2013年12期
    页码:  807-812
    摘要：
  • 150. 信息动态
    作者：
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2013年3期
    页码:  前插1-前插2
    摘要：

微纳电子技术基本信息

刊名 微纳电子技术 主编 李和委
曾用名 半导体情报(1964-2001)
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1671-4776 CN 13-1314/TN
邮编 050002 电子邮箱 wndz@vip.sina.com
电话 0311-87091487 网址 www.wndz.org
地址 石家庄市179信箱46分箱

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