GSI多层铜布线化学机械平坦化速率一致性

• 作者: 刘玉岭 曹阳 王辰伟
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 铜 化学机械平坦化(CMP) 去除速率一致性 压力 流量
• 年，卷（期）: 2013,（12）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 793-797
• 分类号: TG175
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2013.12.010

摘要

采用自主研发的碱性铜布线抛光液,在300 mm化学机械平坦化平台上对铜镀膜去除速率一致性进行了实验研究,并对质量传递和速率一致性的关系进行了深入分析.研究结果表明,压力和流量变化对不同的抛光液影响不同.低压CMP下全局质量传递差较小,去除速率一致性好.随着压力的增大,铜的平均去除速率迅速增大;而压力的增大使晶圆中心和边缘处质量传递差增大,铜的去除速率差增大,导致去除速率一致性劣化.流量的增大利于提高全局去除速率一致性,并使全局质量传递加快,铜去除速率略有增大.该研究成果对提高300 mm铜布线片CMP全局平坦化,尤其是提高器件成品率和优品率有一定的指导意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学微电子研究所	263	1540	17.0	22.0
2	王辰伟	河北工业大学微电子研究所	80	287	8.0	10.0
3	曹阳	河北工业大学微电子研究所	7	29	4.0	5.0