微纳电子技术期刊
出版文献量(篇)
3266
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微纳电子技术

Micronanoelectronic Technology
曾用名: 半导体情报(1964-2001)

AJSACSTPCD

影响因子 0.4364
《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。 创刊4年以来,汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体,通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向,为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
俄罗斯《AJ》收录  美国《剑桥科学文摘》收录  英国《SA》,INSPEC数据库收录 
ISSN:
1671-4776
CN:
13-1314/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄市179信箱46分箱
出版文献量(篇)
3266
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  • 作者: 刘保军 危波 崔焕卿 李成 王森 蔡理
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2017年12期
    页码:  801-807
    摘要: 基于自旋传输和磁动力学耦合模型,研究了纳磁体形状对全自旋逻辑(ASL)器件临界开关电流以及开关延迟时间和功耗的影响.仿真结果显示,由于椭圆柱纳磁体构成的ASL器件易磁化轴方向退磁因子相比长方...
  • 作者: 吴翔 陈璐 魏凯峰
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2017年12期
    页码:  808-812
    摘要: 钝化发射极背面接触(PERC)双面太阳电池(PERC+)背面采用丝网印刷铝栅线的设计,代替常规PERC电池背面全铝背场层,达到背面发电的效果.对不同背面铝栅线宽度的PERC+电池和常规PER...
  • 作者: 于成龙 周洪宇 张强 胡慧敏 苏静杰 马锡英 魏杰
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2017年12期
    页码:  813-816,834
    摘要: 主要研究了硒化钼(MoSe2)薄膜的制备及其光电特性.以硒化钼粉末作为原料、采用化学气相沉积(CVD)法在Si衬底上沉积硒化钼薄膜.利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射仪(XRD)、霍尔效...
  • 作者: Sun Dongke 于程 吴梁玉 王菲
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2017年12期
    页码:  817-823,846
    摘要: 采用格子Boltzmann方法,建立了液滴在亲水固体表面上快速铺展过程的三维非稳态理论模型.研究了液滴铺展的动态过程,分析了液滴的形貌变化,比较了固体表面润湿性和液滴的运动黏度对液滴铺展过程...
  • 作者: 唐军 张伟 张成飞 李春明 赵锐 郭慧婷 钱坤
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2017年12期
    页码:  824-828,834
    摘要: 品质因数(Q)是光学谐振腔的重要参数,大尺寸的平面环形谐振腔有着更大的单圈损耗,却具有更高的Q值.针对这个问题,从光子寿命的角度对环形谐振腔耦合结构进行了建模分析与仿真,提出了用等效单位传输...
  • 作者: 张磊 熊继军 王海星 谭秋林
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2017年12期
    页码:  829-834
    摘要: 设计了一个直径为1 mm的新型植入式磁力驱动供药腔,该供药腔包括磁性薄膜、聚二甲基硅氧烷(PDMS)空腔、PDMS薄膜以及内径为0.4 mm的聚四氟乙烯(PTFE)导管构成,通过O2等离子处...
  • 作者: 夏洋 康恒 景玉鹏 李勇滔 林琳 符庭钊
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2017年12期
    页码:  835-839
    摘要: 针对传统快速热处理工艺(RTP)在退火过程中引起杂质再扩散导致难以制作浅结器件的问题,采用了微波退火的方式进行退火,有效降低了热预算,能够解决杂质再扩散的问题.相比传统RTP退火,微波的退火...
  • 作者: 曲金成 李源 李锁印 蔡潇雨 赵军 雷李华 韩志国 魏佳斯
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2017年12期
    页码:  840-846
    摘要: 介绍了纳米几何量量值传递中纳米标准样版的计量与溯源特性.分析了微纳米测量仪器在纳米标准样版几何参量校准中对标准样版循迹结构的具体需求.设计了标准值为60 nm,具有可循迹结构的纳米台阶标准样...
  • 作者: 付蕾 刘玉岭 张凯 张文倩 杜义琛 王辰伟 韩丽楠
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2017年12期
    页码:  847-851
    摘要: Ru作为14 nm及以下技术节点的铜互连极大规模集成电路(GLSI)的新型阻挡层材料,在化学机械平坦化(CMP)工艺中易与Cu发生电偶腐蚀,影响器件的稳定性.采用动电位扫描的电化学方法表征铜...
  • 作者: 姚宗 李鑫 林立娜 梁庭 赵丹 齐蕾
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2017年12期
    页码:  852-857,870
    摘要: 以高纯度铝作为溅射靶材,高纯度氩气作为溅射气体,在低温环境下利用直流磁控溅射设备在硅衬底上成功制备了铝膜.通过单一因素控制法研究了溅射功率、腔室压强和基片转速三个关键因素对铝膜的均匀性、致密...
  • 作者: 刘宜霖 张保国 张礼 缪玉欣 罗超 韩丽楠
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2017年12期
    页码:  858-863
    摘要: 通过电化学工作站对2英寸(1英寸=2.54 cm)n型GaN晶圆进行了研究,结合X62型单面抛光机研究GaN电化学腐蚀与化学机械抛光(CMP)的一致性,并利用原子力显微镜(AFM)检测抛光后...
  • 作者: 常博 王政杰 葛正浩 赵梦凡 雷静
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2017年12期
    页码:  864-870
    摘要: 回顾了用于制造可穿戴电子设备及软机器人的材料及制造工艺.总结了应用于可穿戴电子设备及软机器人制造的各种制造工艺,它们都是将用于实现各功能的元器件通过制造工艺集成在柔性基体或基板中,这些工艺包...
  • 作者:
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2017年12期
    页码:  872
    摘要:

微纳电子技术基本信息

刊名 微纳电子技术 主编 李和委
曾用名 半导体情报(1964-2001)
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1671-4776 CN 13-1314/TN
邮编 050002 电子邮箱 wndz@vip.sina.com
电话 0311-87091487 网址 www.wndz.org
地址 石家庄市179信箱46分箱

微纳电子技术评价信息

期刊荣誉
1. 俄罗斯《AJ》收录
2. 美国《剑桥科学文摘》收录
3. 英国《SA》,INSPEC数据库收录

微纳电子技术统计分析

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