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微纳电子技术2020年第10期出版文献
出版文献量（篇）
3266
总下载数（次）
22
微纳电子技术
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《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。
创刊4年以来，汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体，通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向，为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
俄罗斯《AJ》收录
美国《剑桥科学文摘》收录
英国《SA》,INSPEC数据库收录
ISSN：
1671-4776
CN：
13-1314/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
3266
总下载数（次）
22
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2020年10期页码:摘要： 相较于传统的吸收层-电荷层-倍增层分离(SACM)的锗/硅雪崩光电二极管(APD),水平APD器件结构及工艺流程简单,且从设计上避免了电荷层的杂质浓度控制的难题.选用绝缘体上硅(SOI)晶圆...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2020年10期页码:摘要： 主要研究了硫化钨(WS2)/硫化钼(MoS2)薄膜异质结的制备及其光电特性.首先以WS2粉末为原料,采用化学气相沉积(CVD)法在Si衬底上沉积WS2薄膜,然后以MoS2粉末为原料在WS2薄...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2020年10期页码:摘要： 以硝酸钴为前驱体、钛酸正丁酯为钛源,结合碳辅助溶胶-凝胶法制备Co3O4/TiO2异质结构纳米材料,并研究了产物对亚甲基蓝(MB)的光催化降解性能.氮吸附-脱附测试结果表明,颗粒平均粒径约为...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2020年10期页码:摘要： 选用BaO-Al2O3-B2O3-SiO2系微晶玻璃作为粉料,采用流延法制备生料带.研究了粘结剂质量分数、增塑剂和粘结剂质量比、微晶玻璃的质量分数(固含量)对生坯密度的影响.同时研究了烧结后...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2020年10期页码:摘要： 针对目前压阻式水听器在工作时需要外加电源、对温度敏感以及制造过程复杂的问题,提出了一种以AlN为压电材料的压电薄膜式水听器.该水听器由带有上下电极的压电薄膜以及绝缘体上硅(SOI)衬底组成....
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2020年10期页码:摘要： 简述了碳和金属纳米材料基柔性应力传感器的材料、结构和制备工艺,以及在可穿戴电子设备中应用的研究现状.重点介绍了碳和金属纳米材料基柔性应力传感器灵敏度、稳定性及响应时间等性能的研究进展和阻碍因...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2020年10期页码:摘要： 可穿戴设备的兴起对传感器的灵敏度和重复性等性能提出了更高的要求,为此,制备一种工艺简单、灵敏度高、应变范围宽的柔性传感器就显得尤为重要.通过刮涂法在聚二甲基硅氧烷(PDMS)上涂覆了石墨烯(...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2020年10期页码:摘要： 磁场控制微流体具有诸多优点,如设计简单、易于操作、对温度和pH值等不敏感,在微流控芯片中具有较好的发展前景.在微流控芯片中磁场主要是通过永磁体、电磁体和软磁体来产生,对这三种磁场产生方式进行...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2020年10期页码:摘要： 通过水热法在氧化铟锡(ITO)玻璃衬底上制备出不同退火温度的ZnO纳米棒,利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、光谱响应曲线和Ⅰ-Ⅴ特性曲线对不同退火温度的ZnO纳米棒的表面形...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2020年10期页码:摘要： 近年来,二维非层状材料由于其原子级厚度、大比表面积和高活性位点数量多等结构特点而受到广泛关注.简单介绍了二维非层状材料,重点综述了表面氧化法、气相沉积法、自组装法、模板辅助合成法和溶剂热法等...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2020年10期页码:摘要： 首先将超细硅微粉中的铀(U6+)元素分散在酸性浆料中;然后使用SiO2气凝胶和蜂窝陶瓷复合介孔吸附装置对其进行吸附完成材料精选与提纯,使超细硅微粉中的铀(U)元素总量降低;最后在无污染后加工...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2020年10期页码:摘要： 采用溶胶-凝胶法制备了一种Ca0.5Mo0.96O4∶0.25Eu3+、0.04Si4+、0.25Li+红色荧光粉,并使用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和荧光光谱仪对其结构、...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2020年10期页码:摘要： 利用铟(In)表面活性剂辅助Mg-δ掺杂技术和金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在r面蓝宝石衬底上成功生长了高空穴浓度的非极性a面p型Al0.6Ga0.4N/GaN超晶格样品.分别使用...
微纳电子技术基本信息
| 刊名 | 微纳电子技术 | 主编 | 李和委 |
| 曾用名 | 半导体情报(1964-2001) | ||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1671-4776 | CN | 13-1314/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | wndz@vip.sina.com |
| 电话 | 0311-87091487 | 网址 | www.wndz.org |
| 地址 | 石家庄市179信箱46分箱 |
微纳电子技术评价信息
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| 2. | 科学文摘(英) |
| 3. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
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| 1. | 俄罗斯《AJ》收录 |
| 2. | 美国《剑桥科学文摘》收录 |
| 3. | 英国《SA》,INSPEC数据库收录 |
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