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湘潭大学自然科学学报期刊
出版文献量（篇）
2407
总下载数（次）
2

湘潭大学自然科学学报

Natural Science Journal of Xiangtan University

CSTPCD

影响因子 0.5666
主办单位：
湘潭大学
期刊荣誉：
全国优秀科技期刊  湖南省一级期刊 
ISSN：
1000-5900
CN：
43-1066/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
411105
地址：
湖南省湘潭市湘潭大学期刊社
出版文献量（篇）
2407
总下载数（次）
2
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  • 1. 低维铁电材料与器件
    作者： 刘明 周益春 郝跃
    刊名： 湘潭大学自然科学学报
    发表期刊： 2019年5期
    页码:  0
    摘要：
  • 2. 新型低维铁电材料及其器件
    作者： 张焱 江安全 蒋旭
    刊名： 湘潭大学自然科学学报
    发表期刊： 2019年5期
    页码:  1-12
    摘要： 低维铁电薄膜是一种得到广泛研究的铁电存储器的核心材料,其利用自发极化这一本征特性来实现信息存储.铁电材料的极化方向在外加电场作用下以超快速度进行切换,切换后的电畴具有保持特性.利用该原理的新...
  • 3. 基于二维钙钛矿的阻变存储器和突触器件研究
    作者： 任天令 沈阳 田禾
    刊名： 湘潭大学自然科学学报
    发表期刊： 2019年5期
    页码:  13-22
    摘要： 基于二维钙钛矿优异的光学特性及二维结构下特殊的电学性质,该文综述了近年来基于二维钙钛矿的纳米电子器件.利用二维材料在垂直平面方向固有的电荷传输限制,基于二维钙钛矿的阻变存储器可以达到10 p...
  • 4. 二维铁电材料的理论研究进展
    作者： 万文辉 刘畅 姚裕贵 管闪
    刊名： 湘潭大学自然科学学报
    发表期刊： 2019年5期
    页码:  23-39
    摘要： 对铁电材料的性质和应用的研究已成为材料科学和凝聚态物理领域热门的研究课题之一.搜寻和设计结构稳定性好、居里温度高的二维铁电材料可以克服传统钙钛矿型铁电材料在尺度降低时电极化退化的缺点,有利于...
  • 5. 二维铁电材料In2Se3的研究进展
    作者： 曾华凌 朱文光 李悦 王喆
    刊名： 湘潭大学自然科学学报
    发表期刊： 2019年5期
    页码:  40-49
    摘要： 近年来,二维材料以其丰富的物性吸引着众多科研工作者的兴趣.铁电性是指材料内部自发且可以通过外加电场进行调控的电极化的一种物理特性,在众多实际应用中发挥着不可替代的重要作用.然而,在二维材料体...
  • 6. 新型低维铁电材料研究进展
    作者： 华陈强 厉心怡 王垚 肖诚承 陆赟豪 陶圣旦 项淑玲
    刊名： 湘潭大学自然科学学报
    发表期刊： 2019年5期
    页码:  50-62
    摘要： 能够通过外部电场来调控极化的铁电材料可用于非易失性存储器、场效应晶体管和传感器等领域.为了提高器件集成效率与性能,器件的小型化日趋重要,因此铁电薄膜的制备获得了广大学者的关注.但是,对于传统...
  • 7. 金属掺杂诱发二维过渡金属卤化物的多铁性
    作者： 孙华胜 阚二军 陈山豹 黄呈熙
    刊名： 湘潭大学自然科学学报
    发表期刊： 2019年5期
    页码:  63-70
    摘要： 二维过渡金属卤化物(如CrI3)以其独特的电子结构和磁性等性质,受到了越来越多的关注.本征的二维过渡金属卤化物通常具有高对称性的结构(如D3 d对称性),导致铁电性质的缺失.为了在过渡金属卤...
  • 8. 二维多铁中的磁电耦合
    作者： 吴梦昊 李晓勇 钟婷婷
    刊名： 湘潭大学自然科学学报
    发表期刊： 2019年5期
    页码:  71-77
    摘要： 单相多铁目前离实际应用还相当遥远:I类多铁基本没有磁电耦合;II类多铁虽然拥有较强磁电耦合,但极化强度低,居里温度远低于室温.近十年来二维范德华材料的相关研究有了长足的发展,而二维铁电和二维...
  • 9. 铪基铁电薄膜及其隧道结存储器件研究
    作者： 孙清清 察明扬 张卫 朱颢 陈佩瑶 陈琳
    刊名： 湘潭大学自然科学学报
    发表期刊： 2019年5期
    页码:  78-84
    摘要： 在信息技术高度发达的今天,传统的信息存储技术正面临着诸多挑战,铁电隧道结等新兴存储器受到了越来越广泛的关注.基于氧化铪材料的铁电隧道结存储器具有读写快、能耗低、与传统CMOS工艺兼容等优势....
  • 10. 金属有机物分解法制备HfO2-ZrO2纳米多层薄膜及其铁电性能研究
    作者： 刘逸群 周科朝 张斗 汤林 陈永红 陈海燕
    刊名： 湘潭大学自然科学学报
    发表期刊： 2019年5期
    页码:  85-92
    摘要： HfO2基铁电薄膜是一种环境友好型的铁电材料,具有尺寸可缩放性、与CMOS兼容性好等多方面优势,有望代替传统钙钛矿结构材料成为铁电存储器件的主要组成材料之一.近年来,已有相关研究表明Zr掺杂...
  • 11. 钇掺杂氧化铪薄膜的铁电与非线性光学性能研究
    作者： 刘明 刘琦 刘继权 毕磊 王艳 秦俊 邓龙江 黄飞
    刊名： 湘潭大学自然科学学报
    发表期刊： 2019年5期
    页码:  93-103
    摘要： 铁电材料在铁电动态随机储存器、铁电场效应晶体管、铁电隧穿结和负电容器件等领域得到研究者的广泛关注.近年来,铁电二氧化铪(HfO2)材料由于具有CMOS兼容性、高介电常数、宽带隙等特点成了研究...
  • 12. HfO2基铁电薄膜在循环电场载荷下的极化翻转行为
    作者： Uwe Schr?der 周大雨 徐进 李帅东 石志鑫
    刊名： 湘潭大学自然科学学报
    发表期刊： 2019年5期
    页码:  104-120
    摘要： 二氧化铪(HfO2)铁电薄膜具有优秀的CMOS工艺兼容性,10 nm以下工艺制程的微缩能力,可采用原子层沉积(ALD)技术实现在3 D电容器结构中的保型生长,因此在实现低功耗、高集成密度的非...
  • 13. 下电极TiN粗糙度对HZO薄膜铁电性的影响
    作者： 于浩然 罗庆 马海力
    刊名： 湘潭大学自然科学学报
    发表期刊： 2019年5期
    页码:  121-126
    摘要： 传统钙钛矿铁电薄膜具有一系列优点的同时也具有较为明显的缺点,主要包括:与Si工艺兼容性较差、物理厚度较大、带隙宽度较小以及非环境友好等.2011年新型掺杂HfO2铁电薄膜的出现,为解决上述一...
  • 14. 基于Cu和TiN盖层的Hf0.5 Zr0.5O2薄膜铁电性能比较研究
    作者： 张岩 王佳丽 王岛 邹正淼 陆旭兵
    刊名： 湘潭大学自然科学学报
    发表期刊： 2019年5期
    页码:  127-135
    摘要： 该文采用原子层沉积在Si/SiO2/TiN基底上制备了20 nm Hf0.5Zr0.5O2(HZO)薄膜,并分别以TiN和Cu为盖层构筑了HZO铁电电容器.掠入射X射线衍射测试表明,TiN和...
  • 15. 基于铁电薄膜HfO2的双阈值负电容独立栅FinFET器件
    作者： 徐萧萧 胡建平
    刊名： 湘潭大学自然科学学报
    发表期刊： 2019年5期
    页码:  136-140
    摘要： 将一定厚度的铁电材料HfO2应用到独立栅基准器件FinFET的前栅和后栅表面,构成具有对称栅结构的负电容独立栅FinFET器件.通过调整新器件的栅功函数、结构参数和铁电材料参数,构建高阈值和...

湘潭大学自然科学学报基本信息

刊名 湘潭大学自然科学学报 主编 黄云清
曾用名
主办单位 湘潭大学  主管单位 湖南省教育厅
出版周期 双月刊 语种
chi
ISSN 1000-5900 CN 43-1066/TN
邮编 411105 电子邮箱 JXTU@xtu.edu.cn
电话 0732-8292143 网址
地址 湖南省湘潭市湘潭大学期刊社

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