铪基铁电薄膜及其隧道结存储器件研究

• 作者: 孙清清 察明扬 张卫 朱颢 陈佩瑶 陈琳
• 来源期刊: 湘潭大学自然科学学报
• 学科: 数学
• 关键词: 存储器 氧化铪 铁电性 铁电隧道结
• 年，卷（期）: 2019,（5）
• 页码范围: 78-84
• 页数: 7页
• 分类号: O152.1
• 字数: 2401字
• 语种: 中文

摘要

在信息技术高度发达的今天,传统的信息存储技术正面临着诸多挑战,铁电隧道结等新兴存储器受到了越来越广泛的关注.基于氧化铪材料的铁电隧道结存储器具有读写快、能耗低、与传统CMOS工艺兼容等优势.该文制备了两种底电极的铪锆氧铁电隧道结,测试其铁电特性和存储性能.其中采用铂为底电极的铪锆氧铁电隧道结不仅有较高的剩余极化强度和优秀的疲劳特性,并且在编程速度和响应时间上优于传统的铁电材料,展现出良好的应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈琳	复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室	91	712	14.0	23.0
2	孙清清	复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室	5	2	1.0	1.0
3	察明扬	复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室	2	0	0.0	0.0
4	陈佩瑶	复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室	2	0	0.0	0.0
5	朱颢	复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室	2	0	0.0	0.0