下电极TiN粗糙度对HZO薄膜铁电性的影响

• 作者: 于浩然 罗庆 马海力
• 来源期刊: 湘潭大学自然科学学报
• 学科: 数学
• 关键词: 新型铁电薄膜 下电极粗糙度 HZO(HZO)
• 年，卷（期）: 2019,（5）
• 页码范围: 121-126
• 页数: 6页
• 分类号: O152.1
• 字数: 2430字
• 语种: 中文

摘要

传统钙钛矿铁电薄膜具有一系列优点的同时也具有较为明显的缺点,主要包括:与Si工艺兼容性较差、物理厚度较大、带隙宽度较小以及非环境友好等.2011年新型掺杂HfO2铁电薄膜的出现,为解决上述一系列问题提供了新思路.其中,因铁电性能显著及易于制备,HfO2-ZrO2固溶体(HZO)体系成了重要的研究热点之一.与此同时,在充分考虑制备成本和可控沉积条件之后,研究者发现溅射技术是制备HZO薄膜较为有效的手段之一.该文在利用溅射技术制备TiN/HZO/TiN(MFM)铁电电容结构的过程中发现:下电极TiN粗糙度对新型HfO2基MFM电容结构铁电性的产生具有重要影响;相较于磁控溅射技术而言,离子束溅射技术制备的下电极TiN具有更好的粗糙度,更有利于体系铁电性能的出现.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于浩然	中国科学院微电子研究所重点实验室	3	0	0.0	0.0
2	马海力	中国科学院微电子研究所重点实验室	2	0	0.0	0.0
3	罗庆	中国科学院微电子研究所重点实验室	3	0	0.0	0.0