原文服务方: 西安工程大学学报       
摘要:
研究了在纳米厚度范围内,Ni-Al薄膜的电阻率与表面粗糙度的关系. 利用直流磁控溅射方法,使用高纯度(99.99%)的Ni 、Al靶, 通入Ar气制备了Ni-Al薄膜,薄膜的厚度为15nm~140nm. 在室温下通过直线四探针和原子力显微镜测量了不同厚度Ni-Al薄膜的电阻率和表面粗糙度,结果表明电阻率变化和表面粗糙度成近似线性关系.
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关键词云
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文献信息
篇名 磁控溅射制备纳米Ni-Al薄膜的表面粗糙度和电阻率的研究
来源期刊 西安工程大学学报 学科
关键词 Ni-Al薄膜 磁控溅射 粗糙度 电阻率
年,卷(期) 2009,(4) 所属期刊栏目 基础科学
研究方向 页码范围 150-153
页数 4页 分类号 O484.1
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1674-649X.2009.04.032
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 余花娃 西安工程大学理学院 18 39 3.0 5.0
2 王晶 西安工程大学理学院 17 29 3.0 4.0
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研究主题发展历程
节点文献
Ni-Al薄膜
磁控溅射
粗糙度
电阻率
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
西安工程大学学报
双月刊
1674-649X
61-1471/N
大16开
1986-01-01
chi
出版文献量(篇)
3377
总下载数(次)
0
总被引数(次)
15983
论文1v1指导