【原子层沉积设备及其方法】学术原文参考-原子层沉积设备及其方法期刊下载-钛学术文献服务平台

公开时间：2007-10-31

摘要:

本发明提供了一种原子层沉积方法，包括将多个半导体晶片放置进原子层沉积室内。沉积前体被与容纳在沉积室中的各个晶片相关联的各个气体入口喷射出，以在容纳在沉积室中的晶片上形成相应的单层。在形成单层后，吹扫气体被从与容纳在沉积室中的各个晶片相关联的各个气体入口喷射出。原子层沉积设备包括低于大气压的装载室、低于大气压的传递室和多个原子层沉积室。还披露了其他的方面和实施方式。

2.【专利】原子层沉积方法和原子层沉积设备

发明人：古尔特基·S·桑赫特鲁格·特里·多恩

申请人：微米技术有限公司

公开时间：2005-10-26

摘要:

本发明提供了一种原子层沉积方法，包括将多个半导体晶片放置进原子层沉积室内。沉积前体被与容纳在沉积室中的各个晶片相关联的各个气体入口喷射出，以在容纳在沉积室中的晶片上形成相应的单层。在形成单层后，吹扫气体被从与容纳在沉积室中的各个晶片相关联的各个气体入口喷射出。原子层沉积设备包括低于大气压的装载室、低于大气压的传递室和多个原子层沉积室。还披露了其他的方面和实施方式。

3.【专利】原子层沉积设备及其清洗方法

发明人：王勇飞史小平兰云峰王帅伟

申请人：北京北方华创微电子装备有限公司

公开时间：2019-04-12

摘要:

本申请公开了一种原子层沉积设备及其清洗方法，该原子层沉积设备包括：腔室；排气管路，连接在所述腔室和真空泵之间；进气组件，连接至所述腔室，用于向所述腔室提供包含反应离子的清洗气体，所述清洗气体与工艺后沉积产物反应生成中间产物；以及温度控制单元，用于对所述原子层沉积设备加热以使所述中间产物呈气态该原子层沉积设备的主进气管路可以向腔室提供清洗气体，并且腔室具有温度控制单元，使中间产物呈气态，从而能在不降温、不拆卸设备零件的条件下，对原子层沉积设备进行有效的清洗。

4.【专利】原子层沉积腔室部件及其制备方法、以及原子层沉积设备

发明人：李松举付东

申请人：广东聚华印刷显示技术有限公司

公开时间：2020-07-03

摘要:

本发明涉及一种原子层沉积腔室部件及其制备方法、以及原子层沉积设备。该原子层沉积腔室部件包括主体和疏水性涂层，其中，疏水性涂层形成于主体的表面。上述原子层沉积腔室部件，通过对原子层沉积腔室部件的主体进行处理，在腔室部件的主体的表面形成疏水性涂层，当进行ALD(原子层沉积)工艺时，反应等离子体及反应气体无法沉积在腔室部件的表面，从而使腔室部件的表面始终保持洁净而无法粘附薄膜

5.【专利】原子层沉积设备

发明人：李哲峰乌磊聆领安辛

申请人：深圳市原速光电科技有限公司

公开时间：2020-07-03

摘要:

本发明公开了一种原子层沉积设备，原子层沉积设备包括原子层沉积装置及卷料固定装置，其中，原子层沉积装置用于对待沉积的样品进行沉积处理，卷料固定装置用于安装待沉积的样品，以将待沉积的样品传输到原子层沉积装置中或者从原子层沉积装置中收回卷料固定装置包括第一承重座、第二承重座、卷料轴及驱动件，卷料轴具有相对的安装端及驱动端，安装端与第二安全夹头转动连接，驱动端与第一安全夹头转动连接，并与驱动件驱动连接，以使卷料轴用于对缠绕设置于其上的待沉积样品进行卷料处理本发明改进了原子层沉积设备的结构，提升了原子层沉积设备的装配效率，方便组装原子层沉积设备的各零部件，节省了装配所需的时间。

6.【专利】原子层沉积设备

发明人：李兴存白志民张彦召

申请人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

公开时间：2015-07-01

摘要:

本发明提供一种原子层沉积设备，该等离子体辅助原子层沉积设备包括至少一个工艺腔室、多个前驱体源和用于承载并运输沉积基底的传送带，所述传送带穿过所述工艺腔室，多个所述前驱体源包括第一前驱体源，其中，所述原子层沉积设备还包括第一等离子处理装置利用第一等离子处理装置对第一前驱体源提供的第一前驱体进行解离后，可以降低原子层沉积所需要的温度。并且，本发明所提供的原子层沉积设备具有较高的生产效率。

7.【专利】原子层沉积设备

发明人： P·索伊尼宁 J·斯卡普

申请人：BENEQ有限公司

公开时间：2015-06-17

摘要:

本发明涉及一种用于在衬底表面上进行原子层沉积的设备(1)，通过对衬底(11)表面进行交替的起始物料表面反应来进行原子层沉积，该设备包括：两个或更多个低压室(2)；两个或更多个独立的反应室(8，12)，这些反应室设置用于放在低压室(2)内部；以及至少一个起始物料输入系统(5)，它由两个或更多个低压室(2)共用，以进行原子层沉积。根据本发明，该设备包括至少一个装载装置(6，16)，设置成给反应室(8，12)装载和卸载衬底(11)，以及进一步给低压室(2)装载和卸载反应室(8，12)。

8.【专利】原子层沉积方法及炉管设备

发明人：王宏付

申请人：长鑫存储技术有限公司

公开时间：2019-10-29

摘要:

本发明提供一种原子层沉积方法及炉管设备，其中一种原子层沉积方法包括步骤S1至步骤S6共六个步骤，本发明一方面通过改进炉管设备中真空泵系统，另一方面通过原子层沉积方法的控制，使得原子层沉积的两种反应气体分别从不同的真空泵通过，致使真空泵内沉积薄膜大幅减少，降低了真空泵中的累积膜厚，提高真空泵的寿命，可以提高真空泵寿命达到两倍或两倍以上。

9.【专利】原子层沉积方法和设备

发明人： F·詹森

申请人：波克股份有限公司

公开时间：2005-06-08

摘要:

本发明描述了一种原子层沉积设备和方法，其中在气压梯度下而无泵送的作用下将前体气体被输送到反应室中。

10.【专利】原子层沉积装置和原子层沉积方法

发明人：长井博之桑山哲朗

申请人：索尼公司

公开时间：2014-11-12

摘要:

本发明涉及原子层沉积装置和原子层沉积方法。原子层沉积装置包括：可密封的沉积室；保持部，被配置为在沉积室中保持包括沉积表面的基板；供应机构，包括连接至供应气体的气体供应源的导入部，并且被配置为将导入导入部的气体从与沉积表面相对的位置处供应至沉积室；以及排出机构，包括连接至能够排出气体的排出机构的排出部，并且被配置为从与沉积表面相对的位置处给沉积室排气。

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