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公开时间：2016-02-24

摘要:

本发明公开了一种提高双极型晶体管BVcbo的生产工艺。本发明通过将沟槽场氧化隔离工艺技术与结终端工艺技术结合起来，首先在通过干法刻蚀工艺技术形成沟槽之后、在沟槽的场氧化进行之前，加一步离子注入工艺将P-型元素硼（B）离子预反掺杂到沟槽场区硅中，然后将沟槽的场氧化过程分成两步，结终端硼离子注入安排在两步场氧化之间进行，使用该工艺技术方法制造的NPN硅双极型微波功率晶体管器件不但提高了BVcbo击穿电压50%以上，能够提供高的输出功率，而且减小了集电结寄生电容，保证了器件的高频性能。

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2.【专利】一种精度定位贴片装置

发明人：任春岭多新中陈强沈美根闫锋张如春

申请人：江苏博普电子科技有限责任公司

公开时间：2013-10-09

摘要:

本发明公开了一种精度定位贴片装置，包括手动贴片机和安装在所述手动贴片机上方的管壳，所述管壳上设置有用于安装芯片的腔体，所述腔体内设置有与其尺寸相对应的直角形的主定位夹具。本发明解决了现有技术中晶体管器件的设计中芯片定位不准确的问题，通过在管壳的腔体内设置主定位夹具和副定位夹具对芯片位置进行精确定位，可以很好地解决晶体管器件在封装过程中的贴片定位问题，且结构简单、成本低，便于使用和维护。

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3.【专利】射频微波功率器件用散热系统

发明人：沈美根闫锋陈强郑立荣张复才多新中姚荣伟张梦苑

申请人：江苏博普电子科技有限责任公司

公开时间：2014-01-22

摘要:

本实用新型公开了一种射频微波功率器件用散热系统，其包括主散热系统和副散热系统，其特征在于：所述主散热系统两侧均可拆卸地设置有副散热系统。本实用新型的散热系统具有可拆卸的结构和良好的散热性能，可以很好地解决晶体管器件在测试过程中的发热问题，且结构简单、成本低，便于使用和维护。

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4.【专利】一种可调单层电容

发明人：多新中陈强任春岭张复才沈美根

申请人：江苏博普电子科技有限责任公司

公开时间：2015-03-25

摘要:

本实用新型公开了一种可调单层电容，其特征是，包括主电容、位于所述主电容周围的电容调试块和连接所述主电容与电容调试块的键合线；所述电容调试块设置有若干个电容调试块。本实用新型所达到的有益效果：在主电容旁设置多个电容调试块，可以方便更改单层电容的容值。当所需电容值大于主电容的值时，可以利用键合线将电容调试块与主电容连接，就可以实现增加单片电容容值的功能。极大的减少了微波器件与模块调试所需的工时，而且结构简单，成本低。

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5.【专利】由PN结与金属条构成衬底屏蔽层的集成电路片上电感

发明人：多新中陈强郑立荣张复才沈美根姚荣伟

申请人：江苏博普电子科技有限责任公司

公开时间：2013-10-09

摘要:

本发明公开了一种由PN结与金属条构成衬底屏蔽层的集成电路片上电感，包括P衬底，所述P衬底中色号在有多根条状N掺杂区，所述每根条状N掺杂区的上方设置有金属条，所述多根金属条相互连接且组成的网络不形成任何回路，所述金属条的上方设置有电感线圈。本发明通过在P衬底上设置了N掺杂区之后，会在N掺杂区的侧壁和底部与P衬底之间形成PN结，PN结中的内建电场会形成高阻的耗尽层，从而使漩涡电流只能在衬底的更深处产生，减少了漩涡电流的损耗。

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6.【专利】一种用于增加微波器件匹配电路中的键合线电感连接模型

发明人：多新中陈强任春岭张复才沈美根

申请人：江苏博普电子科技有限责任公司

公开时间：2015-03-25

摘要:

本实用新型公开了一种用于增加微波器件匹配电路中的键合线电感连接模型，用于连接两个待连接体，其特征是，包括垫片和两条键合线；所述垫片上设置有金属部件；每条所述键合线连接所述金属部件和一个待连接体。本实用新型所达到的有益效果：在单层电容（或芯片或器件引脚）之间，插入一垫片，并且按照下图的要求打键合线。这样，在实现同一电感值的情况下，两根键合线的长度均比原先方案中的键合线长度短。从而在需要长键合线的微波匹配网络设计中，降低了键合线工艺难度，增加了工艺可靠性，提高了键合线。

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7.【专利】一种适用于管壳内有凸出键合指的细间距共晶焊吸嘴

发明人：任春岭陈强多新中

申请人：江苏博普电子科技有限责任公司

公开时间：2015-02-25

摘要:

本发明公开了一种适用于管壳内有凸出键合指的细间距共晶焊吸嘴，包括吸嘴，所述吸嘴用于与管壳共晶焊接，其特征是，所述吸嘴底部的侧边上设置有缺口；所述管壳内部设置有凸起的键合指；所述缺口的宽度大于键合指的宽度。本发明所达到的有益效果：吸嘴侧面有缺口，缺口可以在两边或一边，根据需要设计，具有选择性，灵活多样。吸嘴在夹取零件时，比较容易控制键合指凸起边缘到零件边缘的距离。本吸嘴结构设计简单，在贴片机上使用方便，可以很好的解决贴片中管壳键合指凸起边缘与零件边缘的细间距共晶焊工艺。

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8.【专利】GaN HEMT微波功率器件脉冲直流测试系统及方法

发明人：沈美根陈强郑立荣张复才多新中姚荣伟闫锋张梦苑

申请人：江苏博普电子科技有限责任公司

公开时间：2015-06-17

摘要:

本发明公开了一种用于GaN?HEMT微波功率器件的脉冲直流测试系统和测试方法，通过矢量网络分析仪测试GaN?HEMT微波功率器件的S参量或通过半导体分析仪测试GaN?HEMT微波功率器件脉冲直流特性，分析仪的两个输出端分别通过一偏置器Bias?Tee将脉冲射频信号加载到被测器件GaN?HEMT的栅极和漏极；两路不同电压等级的直流电源通过两组开关分别加载在两个偏置器Bias?Tee上。本发明的GaN?HEMT微波功率器件的脉冲直流测试系统及测试方法，在对GaN?HEMT微波功率器件测试时，采用脉冲直流电压，由两组开关电路控制施加在偏置器上的直流电源的导通，避免持续对GaN?HEMT施加直流电压，造成GaN?HEMT的自加热现象，导致恶化微波功率器件性能。

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9.【专利】一种提高了BVcbo的双极型晶体管及其生产工艺

发明人：陈强张复才沈美根多新中郑立荣姚荣伟

申请人：江苏博普电子科技有限责任公司

公开时间：2013-09-11

摘要:

本发明公开了一种提高了BVcbo（集电极-基极击穿电压）的双极型晶体管及其生产工艺，通过将沟槽场氧化隔离工艺技术与结终端工艺技术结合起来，并且将沟槽的场氧化过程分成两步，结终端硼离子注入安排在两步场氧化之间进行，不但可以得到合理的结终端硼的结深，而且简化了工艺流程，并且由于结终端离子注入窗口与沟槽边缘无需对准，因此在结终端与沟槽的交界处可以得到较为固定的掺杂硼浓度，以致可以得到稳定的BVcbo，使用该工艺技术方法生产的NPN硅双极型微波功率晶体管器件不但提高了BVcbo20伏以上，能够提供高的输出功率，而且减小了集电结寄生电容，保证了器件的高频性能。

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10.【专利】芯片封装结构

发明人：李宝国陈容传多新中马勇

申请人：北京华通芯电科技有限公司

公开时间：2017-11-17

摘要:

本实用新型涉及一种芯片封装结构，包括：底座；目标芯片，固设在所述底座上；塑料隔离层，形成在所述底座上且覆盖所述目标芯片；陶瓷密封层，形成在所述底座上且覆盖所述塑料隔离层或形成在所述塑料隔离层上；所述目标芯片的焊接点通过埋设于所述陶瓷密封层中的引线与设置在所述陶瓷密封层中且一端外露于所述陶瓷密封层的引脚连接。通过本实用新型的技术方案，可以使陶瓷密封层与芯片之间无间隙，提高了芯片工作时的散热效果，且采用陶瓷材料的密封层替代塑料材料的密封层，可以提高密封层的散热性、耐热性和密封性等。

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