摘要:

本申请公开了一种LED外延接触层生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温GaN成核层、生长高温GaN缓冲层、生长非掺杂u?GaN层、生长掺杂浓度稳定的n?GaN层、生长多量子阱发光层、生长p型AlGaN层、生长高温p型GaN层、生长Mg:GaN/In_xGa_1?xn/Si:GaN隧穿结结构接触层、降温冷却。如此方案，将LED外延最后的接触层设计为Mg:GaN/In_xGa_1?xn/Si:GaN的隧穿结构，有效降低了接触电阻，从而有利于降低LED芯片的工作电压。

摘要:

本申请公开了一种Mg扩散的LED外延片、生长方法及LED结构，该LED外延片结构从下至上依次为：衬底，GaN缓冲层，非掺杂GaN层，n型GaN层，多量子阱层，P型AlGaN层，在所述的P型AlGaN层上为渐变掺杂Mg的P型GaN层，所述的P型GaN层为进行了Mg扩散处理的GaN层。进一步提供一种LED结构。本发明的优点是：在生长完一小段渐变掺杂Mg的p型GaN后停止生长，再通入大量的Mg对前段p型GaN进行Mg的扩散处理，通过扩散的方式Mg更好地取代Ga位，同时减少了Mg-H键的形成，减少了填充类型的Mg原子，使得并入的Mg原子大部分处在Ga位，提高了处于Ga位Mg原子的比例，使得电离能低的Mg原子比例增加。

摘要:

本发明提供一种LED外延层及其生长方法，包括由下至上依序设置的蓝宝石衬底、低温缓冲GaN层、不掺杂GaN层、AlGaN/GaN超晶格层、多量子阱发光层、P型AlGaN层以及P型GaN层，所述AlGaN/GaN超晶格层包括多个周期性交替生长的N型AlGaN层和N型GaN层，各单层的厚度为2.5～50nm，且N型AlGaN层和N型GaN层的单层厚度比为1:1～1:5，其总厚度为2～4um，Si掺杂浓度为8E18～2E19atom/cm³，Al掺杂浓度为1E17～1E19atom/cm³。本发明通过形成AlGaN/GaN异质结，有效提高LED芯片的发光功率，降低电压，改善其抗静电能力。

摘要:

本发明提供了一种LED外延的生长方法，包括衬底的预处理、生长缓冲层、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长多量子阱发光层、生长电子阻挡层、生长掺Mg的高温P型GaN层以及退火的步骤；生长不掺杂GaN层步骤具体包括：A、升高反应室温度，保持恒定；B、降低反应室内的压力，生长第一不掺杂GaN层；C、依次将生长第二不掺杂GaN层和生长第三不掺杂GaN层作为一个周期，重复循环20-30个周期。应用本发明的技术方案，通过高压和低压交错生长不掺杂GaN层，使得LED晶格位错密度降低至8E+8-7E+8个/cm²，从而使得其产品具有抗静电能力高、发光效率高以及反向漏电小的效果。

摘要:

本申请提供了一种LED外延生长方法，在多量子阱层上依次生长作为最后垒层的AlInGaN/GaN超晶格层、作为空穴注入层的InGaN:Mg/AlGaN:Mg超晶格层，作为电子阻挡层的AlGaN:Mg/GaN:Mg超晶格层，作为P型限制层的GaN:Mg/GaN超晶格，能够利用含Al材料的宽带隙以增加载流子的限制能力，避免过量电子泄露至P层，同时又利用含In材料对位错不敏感的特点，增加载流子的局域化作用，提高辐射复合效率；同时因超晶格层的晶格不匹配，在界面处易产生二维空穴气，借助二维空穴气，提高空穴横向扩展效率，进一步提高量子阱区域的空穴注入水平，降低LED的工作电压，提高LED的发光效率。

摘要:

本发明的第一目的在于提供一种LED外延结构，依次包括蓝宝石衬底、低温缓冲层层、GaN层、掺杂Si的N型GaN层、发光层、P型AlGaN层和掺Mg的P型GaN层，发光层包括多个发光单层，每个发光单层由下至上依次包括低铟组分层、铟渐变层、高铟组分层和GaN垒层，其中：低铟组分层和高铟组分层中铟的含量固定不变；铟渐变层铟的含量渐变。本发明将发光层设计为四个部分组合，通过各层中铟含量的分布起伏，调节发光层的能带，提高电子和空穴波函数的交叠积分，提高电子和空穴的复合效率，从而提高LED内量子效率。本发明的第二目的在于提供一种LED外延结构的生长方法，工艺步骤精简，操作方便，便于工业化生产。

摘要:

本申请公开了一种匹配AZO薄膜的LED外延生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温GaN成核层、生长高温GaN缓冲层、生长非掺杂u‑GaN层、生长掺杂浓度稳定的n‑GaN层、生长多量子阱发光层、生长p型AlGaN层、生长高温p型GaN层、生长InxGa1‑xN:Zn/InxGa1‑xN:Si接触层、降温冷却。如此方案，将LED外延最后的接触层设计为InxGa1‑xN:Zn/InxGa1‑xN:Si结构，以匹配ZnO∶Al(AZO)透明导电薄膜电流扩展层，有效降低了接触电阻，从而有利于降低LED芯片的工作电压。

摘要:

本发明提供了一种包含渐变厚度势磊的LED结构外延生长方法，生长发光层MQW的步骤为：在温度为730-750℃、100mbar到800mbar压力的反应室内，采用H2和/或N2作为载气，生长掺杂In的厚度为2.5-3nm的InxGa（1-x）N层，x=0.20-0.21；将反应室温度调节为800-840℃，通入R时长的三甲基镓，生长出厚度为D的第一个GaN层；重复生长InGaN层，通入0.75-0.95倍R时长的三甲基镓，生成厚度为0.75-0.95倍D的第二个GaN层；依次类推，GaN层厚度逐层减小。本发明改变了发光层的势磊GaN厚度，使其依次减少，从而改善电子和空穴的分布，提高LED光效。

摘要:

本申请公开了一种LED外延接触层生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温GaN成核层、生长高温GaN缓冲层、生长非掺杂u‑GaN层、生长掺杂浓度稳定的n‑GaN层、生长多量子阱发光层、生长p型AlGaN层、生长高温p型GaN层、生长Mg:GaN/InxGa1‑xn/Si:GaN隧穿结结构接触层、降温冷却。如此方案，将LED外延最后的接触层设计为Mg:GaN/InxGa1‑xn/Si:GaN的隧穿结构，有效降低了接触电阻，从而有利于降低LED芯片的工作电压。

摘要:

本发明公开了一种LED外延生长的方法，包括：处理衬底、生长低温GaN成核层、生长高温GaN缓冲层、生长非掺杂u‑GaN层、生长N型GaN层、生长量子阱层、生长电子阻挡层、生长高温P型GaN层和生长InxGa1‑xN:Si/AlyGa1‑yN:Si超晶格结构，降温冷却；其中：生长InxGa1‑xN:Si/AlyGa1‑yN:Si超晶格结构，进一步为：调节生长温度为750℃‑1050℃，调节生长压力为100Torr‑500Torr，生长厚度为1nm‑5nm的InxGa1‑xN:Si；调节生长温度为750℃‑1050℃，调节生长压力为100Torr‑500Torr，生长厚度为1nm‑5nm的AlyGa1‑yN:Si；交替生长InxGa1‑xN:Si和AlyGa1‑yN:Si，周期数为1‑10。通过InxGa1‑xN:Si/AlyGa1‑yN:Si超晶格结构材料来调整与AZO薄膜材料的势垒高度差，降低了接触电阻，从而减小了LED芯片的工作电压，提高了亮度。